Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул в двухслойных структурах InAs / GaAs
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas, USA
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Deutschland
4Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik, Berlin, Deutschland
2Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas, USA
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Deutschland
4Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik, Berlin, Deutschland
Поступила в редакцию: 11 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Методом резонансной фотолюминесценции и спектроскопии возбуждения фотолюминесценции изучены самоорганизованные квантовые точки в двухслойных структурах InAs / GaAs. Слабо коррелированная (50%) двухслойная система с набором вертикально связанных квантовых точек (асимметричных квантовых молекул) создана в структуре, состоящей из первого слоя InAs толщиной dInAs=1.8 монослоя и второго слоя InAs толщиной dInAs=2.4 монослоя, разделенных слоем GaAs толщиной dGaAs=50 монослоев. В такой системе изучена последовательность дискретных квантовых состояний и впервые отчетливо зарегистрированы резонансы, отвечающие вертикально связанным квантовым точкам. PACS: 68.66.Hb, 78.67.Hc
- Pochung Chen, C. Piermarocchi, L.J. Sham. Phys. Rev. Lett., 87, 067 401 (2001)
- G. Burkard, D. Loss, D.P. DiVincenzo. Phys. Rev. B, 59, 2070 (1999)
- M. Bayer, P. Hawrylyak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, R. Wasilevski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, 451 (2001)
- P. Borri, W. Langbein, U. Woggon, M. Schwab, M. Bayer, S. Fafard, Z. Wasilewski, P. Hawrylak. Phys. Rev. Lett., 91, 267 401 (2003)
- S. Fafard, M. Spanner, J.P. McCaffrey, Z.R. Wasilewski. Appl. Phys. Lett., 76, 2268 (2000)
- D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1994)
- Q. Xie, P. Chen, A. Kalburge, T.R. Ramachandran, A. Nayfonov, A. Konkar, A.Madhukar. J. Cryst. Growth, 150, 357 (1995)
- N.P. Kobayashi, T.R. Ramachandran, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 68, 3299 (1996)
- H. Kissel, U. Muller, C. Walther, W.T. Masselink, Yu.I. Mazur, G.G. Tarasov, M.P. Lisitsa. Phys. Rev. B, 62, 7213 (2000)
- Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N.P. Kobayashi. Phys. Rev. Lett., 75, 2542 (1995)
- G.S. Solomon, J.A. Trezza, A.F. Marshall, J.S. Harris. Phys. Rev. Lett., 76, 952 (1996)
- R. Heitz, A. Kalburge, Q. Xie, M. Grundmann, P. Chen, A. Hoffmann, A. Madhukar, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 57, 9050 (1998)
- I. Mukhametzhanov, R. Heitz, J. Zeng, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 73, 1841 (1998)
- Yu.I. Mazur, Z.M. Wang, G.J. Salamo, Min Xiao, G.G. Tarasov, Z.Ya. Zhuchenko, W.T. Masselink, H. Kissel. Appl. Phys. Lett., 83, 1866 (2003)
- R. Heitz, I. Mukhametzhanov, J. Zeng, P. Chen, A. Madhukar, D. Bimberg. Superlat. Microstruct., 25, 97 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
