Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 1 » Статья стр. 122
<<<
Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов
Бочкарева Н.И.1, Ефремов А.А.2, Ребане Ю.Т.1, Горбунов Р.И.1, Клочков А.В.1, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
PDF версия
Изучены распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и после оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов. Проведены измерения I-V-характеристик. Обнаружено, что первоначально наиболее яркое свечение вблизи области металлизации p-контакта сменилось на слабое свечение после деградации светодиода. Обнаружена временная задержка (~ 20-40 нс) в распределении интенсивности электролюминесценции по площади светодиодов после их деградации. Предполагается, что рост избыточного тока после деградации обусловлен увеличением плотности состояний на гетерогранице InGaN/GaN и формированием электрического диполя, снижающего потенциальные барьеры в слоях p-GaN и n-GaN. Соответствующее увеличение емкости приводит к временной задержке растекания инжекционного тока и распределения яркости свечения по площади. Планарная неоднородность инжекции носителей заряда в квантовую яму до и после оптической деградации связывается с диффузией и электромиграцией водорода, индуцированной механическими напряжениями. Металлизация p-контакта может быть причиной генерации механических напряжений. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi
  1. S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, 1998)
  2. M. Osinski, J. Zeller, P.-C. Chiu, B.S. Phillips, D.L. Barton. Appl. Phys. Lett., 69, 898 (1996).
  3. M. Osinski, D.L. Barton, P. Perlin, J. Lee. J. Cryst. Growth, 189/190, 808 (1998)
  4. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Laser and Ligth Emitting Diodes, eds. by S. Nakamura, S.F. Chichibu (London-N. Y.: Taylor \& Francis, 2000)
  5. А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 33, 242 (1999)
  6. A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W11.25 (2000); http://nsr.mij.mrs.org /5S1/W11.25/
  7. Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
  8. Н.И. Бочкарева, E.A. Zhirnov, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39, 627 (2005)
  9. Н.И. Бочкарева, Е.А. Жирнов, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39, 829 (2005)
  10. X. Guo, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 78, 3337 (2001)
  11. P.Fischer, J. Christen, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L129 (2000)
  12. P. Fischer, J. Christen, M. Zacharias, V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 2414 (2000)
  13. D.L. Hibbard, S.P. Jung, C. Wang, D. Ullery, Y.S. Zhao, H.P. Lee, W. So, H. Liu. Appl. Phys. Lett., 83, 311 (2003)
  14. T. Arai, H. Sueyoshi, Y. Koide, M. Moriyama, M. Murakami. J. Appl. Phys., 89, 2826 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme