Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 6 » Статья стр. 764
<<<
Мощные лазеры (lambda=940-980 нм) на основе асимметричной GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры раздельного ограничения
Винокуров Д.А.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Капитонов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Рудова Н.А.1, Соколова З.Н.1, Слипченко С.О.1, Хомылев М.А.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
PDF версия
Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры, излучающие на длинах волн 940 и 980 нм. Состав твердого раствора волноводного слоя Ga0.74In0.26As0.47P0.53 был выбран на основе расчета энергии выброса электронов из квантовой ямы активной области в волновод. Полученные гетероструктуры использовались для изготовления полупроводниковых лазеров с апертурой излучения 100 мкм. В непрерывном режиме генерации лазеров при комнатной температуре была достигнута максимальная выходная оптическая мощность 12 Вт. Внутренние оптические потери составляли 0.6 и 0.3 см-1 соответственно на длинах волн 940 и 980 нм. PACS: 42.55.Px; 85.60.Jb; 78.67.-n
  1. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005).
  2. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38, 374 (2004)
  3. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
  4. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002)
  5. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40, 1413 (2004)
  6. G. Beister, G. Erbert, A. Knauer, J. Maege, P. Ressel, J. Sebastian, R. Staske, H. Wenzel. Electron. Lett., 35, 1641 (1999)
  7. M. Ohkubo, S. Namiki, T. Ijichi, A. Iketani, T. Kikuta. IEEE J. Quant. Electron., QE-29, 1932 (1993)
  8. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 928 (1991)
  9. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  10. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Tecnol., 6, 27 (1991)
  11. S. Adachi. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  12. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ. 26 (7), 57 (2000)
  13. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme