Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Методы легирования слоев кремния в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Шенгуров В.Г.¹, Светлов С.П.¹, Чалков В.Ю.¹, Шенгуров Д.В.², Денисов С.А.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 11 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100) выращены эпитаксиальные слои Si, легированные различными примесями. Легирование фосфором слоев было проконтролировано в диапазоне концентраций электронов от 2· 10¹³ до 10¹⁹ см^-3. Высокая концентрация легирующей примеси (~ 10²⁰ см^-3) была получена при использовании испарения из частично расплавленных кремниевых источников. Возможность управления сортом и концентрацией примеси в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии продемонстрирована при выращивании многослойных структур типа p⁺-n⁺. PACS: 68.55.Bs, 81.40.Rs, 81.40.Tv

J.C. Bean. J. Electron. Mater., 19, 1055 (1990)
Y. Shiraki. Abstracts 15 th Conf. Sol. St. Dev. and Mater. (Tokyo, 1983) p. 7
G.E. Becker, J.C. Bean. J. Appl. Phys., 48, 3395 (1977)
J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 33, 654 (1977)
Y. Ofa. Thin Sol. Films, N 3 (1983)
S.S. Iyer, R.A. Metrger, F.G. Allen. J. Appl. Phys., 52, 5608 (1981)
J.A. Roth, C.L. Anderson. Appl. Phys. Lett., 31, 689 (1977)
J.C. Bean, H.J. Leamy, J.M. Poate, G.A. Rozgonyi, T.T. Sheng, J.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 33, 227 (1978)
J.F. Nutzel. J. Appl. Phys., 78, 937 (1995)
В.Г. Шенгуров. Поверхность. Физика, химия, механика, N 44 (1994)
В.П. Кузнецов, В.В. Постников. Кристаллография, 19(2), 346 (1974)
В.В. Постников, М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. ДАН СССР, 175(4), 817 (1967)
Р.Г. Логинова, В.П. Кузнецов, М.И. Овсянников, В.В. Постников. Кристаллография, 11(3), 479 (1966)
М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова. Кристаллография, 15(6), 1261 (1970)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
M.V. Stepikhova, B.A. Andreev, V.B. Shmagin, Z.F. Krail'nik, V.P. Kuznetsov, V.G. Shengurov, S.P. Svetlov, W. Jantsch, L. Palmetschofer, H. Ellmer. Thin Sol. Films, N 369, 426 (2000)
С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.А. Толомасов, Г.Н. Горшенин, В.Ю. Чалков. ПТЭ, N 5, 137 (2001)
С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ, N 4, 141 (2000)
G.W. Golel, F.G. Allen. J. Phys. Chem. Sol., 23(14), 467 (1960).
Л.Н. Абросимова, С.В. Гастев, Г.Н. Горшенин, Н.С. Соколов, В.А. Толомасов, Тез. докл. VII конф., " Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок" (Новосибирск, 9--13 июня 1986) т. 3, с. 97
В.А. Толомасов, Л.Н. Абросимова, Г.Н. Горшенин. Кристаллография, 15(6), 1233 (1970)
В.Г. Шенгуров, Р.А. Рубцова. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 106 (1997)
А.И. Никифоров, Б.З. Кантер, С.И. Стекин. Электронная промышленность, N 6, 3 (1989)
G.E. Becker, J.C. Bean. J. Appl. Phys., 48, 3395 (1977)
F.G. Allen, S.S. Iyer, R.A. Metzger. Appl. Surf. Sci., 11/12, 517 (1982)
В.В. Постников. Кристалография, 9(2), 300 (1964)
Л. Ченга, Л. Плога. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры (М., Мир, 1989)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова, Д.В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer. ФТП, 35, 954 (2000)
В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова. Тез. докл. VII конф. " Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок." (Новосибирск, 9--13 июня 1986) т. 1, с. 273
В.П. Кузнецов, Р.Г. Логинова, М.И. Овсянников, В.В. Постников. Процессы роста и структура монокристаллических полупроводников (Новосибирск, Наука, 1968) ч. 1, с. 483
Ю.М. Шашков Выращивание монокристаллов методом вытягивания (М., Металлургия, 1982).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель