Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Динамика перезарядки дефектов в крупноблочных пленках p-CdTe

Исмаилов Х.Х.¹, Жанабергенов Ж.¹, Мирсагатов Ш.А.¹, Каражанов С.Ж.¹

¹Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 25 апреля 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована вольт-фарадная характеристика МОП структуры на основе крупноблочной пленки p-CdTe. Немонотонная зависимость объясняется перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе полупроводник-окисел и изменением степени компенсации поверхностных состояний. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Qv

P. Baruch. J. Phys. Chem. Sol., 8, 153 (1959)
M. Yamaguchi, S.J. Taylor, M.-Ju Yang, S. Matsuda, O. Kawasaki, T. Hisamatsu. Jap. J. Appl. Phys., 35 (7), pt 1, 3918 (1996)
M. Yamaguchi, S.J. Taylor, S. Watanabe, K. Ando, M. Yamaguchi, T. Hisamatsu, S. Matsuda. Appl. Phys. Lett., 72 (10), 1226 (1998)
M. Imaizumi, S.J. Taylor, M. Yamaguchi, T. Ito, T. Hisamatsu, S. Matsuda. J. Appl. Phys., 85 (3), 1916 (1999)
Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов. Электрон. техн. Сер. Лазерная техника и оптоэлектроника, вып. 3 (55), 98 (1990)
Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Письма ЖТФ, 29 (24), 84 (2003)
Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов, С.А. Музафарова. Письма ЖТФ, 29, 82 (2003)
S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys., 89 (8), 3707 (2001)
S.Zh. Karazhanov. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2689 (2000)
Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов. Узбекский физ. журн., 5 (6), 350 (2003)
В.Г. Георгиу. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников (Кишинев, Изд-во Штиинца, 1987)
K. Zanio. In: Semiconductors and Semimetals (N. Y., Acad. Press, 1978) v. 13, p. 236
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
Х.Х. Исмаилов, Ш.А. Мирсагатов, С.Х. Шомирзаев, С.А. Музафарова. Матер. конф. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках-2004" (Ташкент, 2004) с. 110

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель