Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 11 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.
Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции - инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалах Si. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристаллов Si. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристаллов Si, отсутствию крупных нанокристаллов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi
- A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
- O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)
- N. Koshida, N. Matsumoto. Mater. Sci. Eng. R, 40, 169 (2003)
- Y. Kanemitsu. Phys. Reports, 263, 1 (1995)
- С.В. Свечников, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович, В.С. Двирняк. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 32, 19 (1997)
- Д.Н. Горячев, Г. Полисский, О.М. Сресели. ФТП, 34 (2), 227 (2000)
- S.K. Lazarouk. Proc. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures (Minsk, Belorussia, 2001) p. 441
- J.C. Jiang. Proc. Mater. Res. Symp., Session AA (Pittsburg, USA, 1992) p. 11
- N. Koshida, H. Koyama. Appl. Phys. Lett., 60 (3), 347 (1992)
- Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 37 (4), 494 (2003)
- D.J. DiMaria, D.N. Dong, C. Falcony, T.N. Theis, J.K. Kirtley, J.C. Tsang, D.R. Young, F.L. Pesavento. J. Appl. Phys., 54 (10), 5801 (1983)
- D.J. DiMaria, J.K. Kirtley, E.J. Pakulis, D.N. Dong, T.S. Kuan, F.L. Pesavento, T.N. Theis, J.A. Cutro. J. Appl. Phys., 56 (2), 401 (1984)
- Э.Г. Манойлов. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 33, 142 (1998)
- B. Abeles, P. Sheng, M.D. Coutts, Y. Arie. Adv. Phys., 24 (3), 407 (1975)
- Е.В. Астрова, С.В. Белов, А.А. Лебедев. ФТП. 28 (2), 332 (1994)
- H. Kabayashi, Asuha, O. Maida, M. Takahashi, H. Iwasa. J. Appl. Phys., 94 (11), 7328 (2003)
- Н.С. Аверкиев, Л.М. Капитонова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Н.Н. Смирнова, А.Я. Шик. ФТП, 30 (12), 2178 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
