Вышедшие номера
Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний
Евтух А.А.1, Каганович Э.Б.1, Манойлов Э.Г.1, Семененко Н.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции - инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалах Si. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристаллов Si. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристаллов Si, отсутствию крупных нанокристаллов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi