"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний
Евтух А.А.1, Каганович Э.Б.1, Манойлов Э.Г.1, Семененко Н.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции - инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалах Si. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристаллов Si. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристаллов Si, отсутствию крупных нанокристаллов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi
  1. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
  2. O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)
  3. N. Koshida, N. Matsumoto. Mater. Sci. Eng. R, 40, 169 (2003)
  4. Y. Kanemitsu. Phys. Reports, 263, 1 (1995)
  5. С.В. Свечников, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович, В.С. Двирняк. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 32, 19 (1997)
  6. Д.Н. Горячев, Г. Полисский, О.М. Сресели. ФТП, 34 (2), 227 (2000)
  7. S.K. Lazarouk. Proc. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures (Minsk, Belorussia, 2001) p. 441
  8. J.C. Jiang. Proc. Mater. Res. Symp., Session AA (Pittsburg, USA, 1992) p. 11
  9. N. Koshida, H. Koyama. Appl. Phys. Lett., 60 (3), 347 (1992)
  10. Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 37 (4), 494 (2003)
  11. D.J. DiMaria, D.N. Dong, C. Falcony, T.N. Theis, J.K. Kirtley, J.C. Tsang, D.R. Young, F.L. Pesavento. J. Appl. Phys., 54 (10), 5801 (1983)
  12. D.J. DiMaria, J.K. Kirtley, E.J. Pakulis, D.N. Dong, T.S. Kuan, F.L. Pesavento, T.N. Theis, J.A. Cutro. J. Appl. Phys., 56 (2), 401 (1984)
  13. Э.Г. Манойлов. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 33, 142 (1998)
  14. B. Abeles, P. Sheng, M.D. Coutts, Y. Arie. Adv. Phys., 24 (3), 407 (1975)
  15. Е.В. Астрова, С.В. Белов, А.А. Лебедев. ФТП. 28 (2), 332 (1994)
  16. H. Kabayashi, Asuha, O. Maida, M. Takahashi, H. Iwasa. J. Appl. Phys., 94 (11), 7328 (2003)
  17. Н.С. Аверкиев, Л.М. Капитонова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Н.Н. Смирнова, А.Я. Шик. ФТП, 30 (12), 2178 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.