"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм кинетики электрофизических свойств поликристаллических пленок p-PbSe при облучении alpha-частицами
Салий Я.П.1
1Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника, Ивано-Франковск, Украина
Поступила в редакцию: 25 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Исследовалось влияние облучения alpha-частицами низких энергий (5.5 МэВ) на электрические свойства поликристаллических пленок p-PbSe. Обнаружено, что концентрация (p) и подвижность (mu) носителей заряда уменьшаются в результате облучения. Линейная зависимость p и mu-1 от квадратного корня из интегрального потока Phi1/2 объясняется в допущении, что межузельные атомы обеих подрешеток захватываются собственными протяженными дефектами - дислокациями, межзеренными границами. PACS: 73.50.Dn, 73.61.Le, 61.82.Fk
  1. Д.М. Заячук, В.А. Шендеровский. УФЖ, 36 (11), 1692 (1991)
  2. Я.П. Салий, Р.Я. Салий. ФТП, 34 (6), 968 (2000)
  3. Д.М. Фреик, В.В. Прокопив, Я.П. Салий. Неорг. матер., 32 (5), 546 (1996)
  4. Д.М. Фреик, А.К. Школьный, Я.П. Салий. УФЖ, 34 (9), 1392 (1989)
  5. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  6. С.П. Козырев, Л.К. Водопьянов. ФТП, 17 (5), 893 (1983).
  7. Д.М. Заячук. ФТП, 31 (2), 217 (1997)
  8. Ф. Блатт. Физика электронной проводимости в твердых телах (М., Мир, 1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.