"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленок CdSe
Метелева Ю.В.1, Новиков Г.Ф.1
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Исследована кинетика СВЧ фотопроводимости пленок CdSe, полученных методом пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных координационных соединений на кварцевых и ситалловых подложках в диапазоне температур Ts=300-600oC. Для характеризации пленок использован анализ рентгеновских дифрактограмм, спектров оптического поглощения и отражения. СВЧ фотопроводимость (возбуждение лазерными импульсами 10 нс, 337 нм) исследовалась при 295 K резонаторным методом и диапазонах 9 и 36 ГГц. Кинетика процессов гибели фотоэлектронов, определяющих временные характеристики фотоотклика, зависела от температуры опыта T и интенсивности падающего освета I. На пленках, полученных при Ts<400oC, наблюдалась кинетика гибели 1-го порядка. При T>450oC кинетика гибели не соответствовала ни 1-му, ни 2-му порядку при низких величинах I, но приближалась к кинетике 2-го порядка при высоких значениях I>1014 фотон/см2 на один импульс. PACS: 73.50.Mx, 73.50.Pz, 78.30.Fs, 78.47+p
  1. Properties of Wide Bandgap II-VI Semiconductors, ed. by R. Bhargava (INSPEC Publications. London, 1997)
  2. P.P. Hankare, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Delekar, I.S. Mulla. Semicond. Sci. Technol., 19, 70 (2004)
  3. V.M. Garcia, M.T.S. Nair, P.K. Nair, R.A. Zingaro. Semicond. Sci. Technol., 11, 427 (1996)
  4. M.E. Hernandez Torres, R. Silva-Gonzalez, H. Havarro-Conteras, M.A. Vidal, J.M. Gracia-Jimenez. Modern Phys. Lett. B, 15, 741 (2001)
  5. E. Lifshitz, I. Dag, I. Litvin, G. Hodes, S. Gorer, R. Reisfeld, M. Zelner, H. Minti. Chem. Phys. Lett., 288, 188 (1998)
  6. S.J. Lade, M.D. Uplane, M.M. Uplane, C.D. Lokhande. J. Mater. Sci.: Materials in Electronics, 9, 477 (1998)
  7. V. Swaminathan, V. Subramanian, K.R. Murali. Thin Sol. Films, 359, 113 (2000)
  8. G. Perna, V. Capozzi, S. Pagliara, M. Ambrico. Thin Sol. Films, 387, 208 (2001)
  9. S. Grabtchak, M. Cocivera. J. Appl. Phys., 79, 786 (1996)
  10. G.F. Novikov, B.I. Golovanov, A.V. Chukalin, N.A. Tikhonina. Sci. Appl. Photo, 39 (4), 313 (1998)
  11. С.Ю. Грабчак, Г.Ф. Новиков, Л.С. Моисеева, М.Р. Любовский, М.В. Алфимов. Журн. науч. и прикл. фотографии, 35 (2), 134 (1990)
  12. U. Pal, D. Samanta, S. Ghorai, B.K. Samantaray, A.K. Ghaudhuri. J. Phys. D: Appl. Phys., 25, 1488 (1992)
  13. Р.Х. Бьюб. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Мир, 1970)
  14. V. Kumar, T.P. Sharma. J. Phys. Chem. Sol., 59 (8), 1321 (1998)
  15. S.Kr. Sharma, S. Kumar, V. Kumar, T.P. Sharma. Opt. Mater., 13, 261 (1999)
  16. Amorphous and Liquid Semiconductors, ed. by J. Tauc (N. Y., Plenum Press, 1974)
  17. T.P. Sharma et al. C.S.I.O. Communication, 19 (3--4), 63 (1992)
  18. Ю.В. Метелева, Г.Ф. Новиков, Н.Л. Сермакашева, В.Н. Семенов. Хим. физика, 20 (7), 30 (2001)
  19. Ю.В. Метелева, А.В. Наумов, Н.Л. Сермакашева, В.Н. Семенов, Г.Ф. Новиков. Хим. физика, 20 (9), 39 (2001)
  20. В.Н. Семенов, А.В. Наумов. Вестн. ВГУ. Сер. химия, биология, 2, 50 (2000)
  21. G.F. Novikov, B.I. Golovanov. J. Imaging Sci., 39 (6), 520 (1995)
  22. A.V. Tataurov, Yu.V. Meteleva, N.L. Sermakasheva, G.F. Novikov. Russian Chem. Bull., Int. Edition, 52 (5), 1201 (2003)
  23. Г.Ф. Новиков, Б.И. Голованов, М.В. Алфимов. Химия высоких энергий, 29 (6), 429 (1995)
  24. Г.Ф. Новиков, Б.И. Голованов, Н.А. Тихонина. Изв. АН. Сер. хим., 9, 2234 (1996)
  25. M. Gardona, G. Harbeke. Phys. Rev. A, 1237, 1467 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.