"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства поликристаллического ZnS
Шеваренков Д.Н.1, Щуров А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Представлены результаты исследований температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости поликристаллического сульфида цинка. Произведен теоретический расчет диэлектрической проницаемости по параметрам электронной структуры. Показано, что увеличение диэлектрической проницаемости в области частот ниже 10 кГц происходит из-за объемнозарядовой поляризации, которая обусловлена наличием заряженных дислокаций в межслоевых и межзеренных границах. PACS: 78.20.Ci, 77.22.Ej, 77.22.Gm
  1. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1. с. 381
  2. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37 (1), 3044 (1995)
  3. Дж. Рейсленд. Физика фононов (М., Мир, 1975) с. 365
  4. А.Ф. Щуров, В.А. Перевощиков, Т.А. Грачева, Н.Д. Малыгин, Д.Н. Шеваренков, Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, Э.В. Яшина. Неорг. матер., 40 (2), 138 (2004)
  5. Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков (М.--Л., Энергия, 1965) с. 344
  6. Ю.А. Осипьян, В.Ф. Петренко. Физика соединений A-=SUP=-2-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-B-=SUP=-6-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
  7. А.Ф. Щуров, Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, Э.В. Яшина, А.Н. Сысоев, Д.Н. Шеваренков. Неорг. матер., 40 (4), 400 (2004)
  8. Y. Drezner, S. Berger, M. Hefetz. J. Mater. Sci., B87, 59 (2001)
  9. А.И. Колюбакин, Ю.А. Осипьян, С.А. Шевченко. ФТТ, 25 (7), 2146 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.