"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоэлектрическая эффективность монокристаллов полупроводникового силицида рутения
Кривошеев А.Е.1, Иваненко Л.И.1, Филонов А.Б.1, Шапошников В.Л.1, Бер Г.2, Шуманн И.2, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Институт физики твердого тела и материаловедения им. Лейбница, PF 27.01.16,, Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 22 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование термоэлектрической эффективности полупроводникового силицида рутения Ru2Si3. Монокристаллические образцы чистого и легированного марганцем Ru2Si3 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла, коэффициента Зеебека и теплопроводности измерены в интервале 100-900 K. Для кристаллов Ru2Si3, легированных марганцем, коэффициент Зеебека является положительным во всем исследованном температурном диапазоне и достигает своего максимального значения 400 мкВ / K приблизительно при 500 K. Значение коэффициента Зеебека для этих кристаллов при комнатной температуре составляет 300 мкВ / K, что в 2 раза превышает величину для нелегированного материала. Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеивания, расчет коэффициента Зеебека и термоэлектрической эффективности ZT. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем качественном и количественном соответствии с экспериментальными данными. PACS: 72.20.Pa, 71.20.Nr, 72.20.Je
  1. S.P. Murarka. In: Microelectronic Materials and Processes, ed. by R.A. Levy (Kluwer Academic, Dordrecht, 1989) p. 9
  2. G.S. Nolas, J. Sharp, H.J. Goldsmid. Thermoelectrics (Springer, Berlin, 2002) v. 45, p. 78.
  3. L. Ivanenko, H. Lange, A. Heinrich. Semiconducting silicides, ed. by V.E. Borisenko (Springer, Berlin, 2000) v. 39, p. 243
  4. C.B. Vining. Proc. Symp. on Space Nuclear Power Systems [AJP Conf. Proc., 246, 338 (1992)]
  5. Y. Arita, S. Mitsuda, Y. Nishi, T. Matsui, T. Nagasaki. J. Nucl. Mater., 294, 202 (2001)
  6. T. Ohta, C.B. Vining, C.E. Allevato. Proc. 26th Intersociety Energy Conversion Engineering Conf. (American Nuclear Society, La Grande Park, IL, 1991) v. 3, p. 196
  7. T. Ohta, A. Yamamoto, T. Tanaka, Y. Sawade, K. Kamisako, T. Horigome. Proc. 12th Int. Conf. on Thermoelectrics (Yokohama, 1993) p. 393
  8. A. Yamamoto, T. Ohta, Y. Sawade, T. Tanaka, K. Kamisako. Proc. 14th Int. Conf. on Thermoelectrics (Ioffe Institute, St. Petersburg, 1995) p. 264
  9. L. Ivanenko, A. Filonov, V. Shaposhnikov, G. Behr, D. Souptel, J. Schumann, H. Vinzelberg, A. Plotnikov, V. Borisenko. Microelectron. Engin., 70 (2--4), 209 (2003)
  10. L. Ivanenko, A. Filonov, V. Shaposhnikov, A. Krivosheev, G. Behr, D. Souptel, J. Schumann, H. Vinzelberg, S. Paschen, A. Bentien, V. Borisenko. 22nd Int. Conf. on Thermoelectrics [IEEE, p. 157 (2003)]
  11. D. Souptel, G. Behr, L. Ivanenko, H. Vinzelberg, J. Schumann. J. Cryst. Growth, 244, 296 (2002)
  12. C.B. Vining, C.E. Allevato. Proc. 10th Int. Conf. on Thermoelectrics (Cardiff., 1991) p. 167
  13. P. Blaha, K. Schwarz, J. Luitz. WIEN97, Improved and updated Unix version of the original copyrighted WIEN-code (Vien, Vienna University of Technology, 1997) [P. Blaha, K. Schwarz, P. Sorantin, S.B. Trickey. Comput. Phys. Com., 59, 399 (1990)]
  14. D.M. Ceperly, B.J. Alder. Phys. Rev. Lett., 45, 566 (1980)
  15. W. Henrion, M. Rebien, A.G. Birdwell, V.N. Antonov, O. Jepsen. Thin Sol. Films, 364, 171 (2000)
  16. W. Wolf, G. Bihlmayer, S. Blugel. Phys. Rev. B, 55, 6918 (1997)
  17. C.P. Susz, J. Muller, K. Yvon, E. Parthe. J. Less-Common Metals, 71 (1), (1980)
  18. T. Ohta, C.B. Vining, C.E. Allevato. Proc 26th Intersociety Energy Conversion Engineering Conf. (1991) v. 3, p. 196
  19. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990) с. 389
  20. B.K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, Clarendon Press, 1982) p. 143
  21. А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (М.; Л., АН СССР, 1957) с. 36

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.