Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами

Викулин И.М.¹, Коробицын Б.В.¹, Криськив С.К.¹

¹Академия связи Украины, Одесса, Украина

Email: kriskiv2@yandex.ua

Поступила в редакцию: 26 ноября 2015 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показана возможность определения ширины запрещенной зоны гомогенных p-n-структур по свойствам вольт-амперных характеристик при двух температурах: комнатной и повышенной на 30-50^oC. Получена рабочая формула для расчета и показано практическое ее применение для определения ширины запрещенной зоны на примерах p-n-структур из кремния, арсенида галлия и фосфида галлия. Полученные результаты с погрешностью до 1% согласуются с общепринятыми. Показана также возможность определения ширины запрещенной зоны гомогенных p-n-структур по вольт-фарадным характеристикам, измеренным при указанных температурах.

В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
В.М. Андреев, Х.М. Долгинов. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
И.В. Бондарь. ФТП, 49 (3), 1180 (2015)
А.И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов (М., Физматлит, 2008)
К.В. Шалимова. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1985). В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, И.В. Карпенко, А.П. Миронов. Сборник задач по физике полупроводников (М., Мир, 1987)
А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов (М., Сов. радио, 1970)
Ю. Питер, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
А.Ф. Иоффе. Введение в физику полупроводников (М.; Л., Изд-во АН СССР, 1957)
В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во НТЛ, 2000)
Ю.М. Бурдуков, С.С. Мескин, Д.Н. Наследов, Б.В. Царенков. РЭ, N 3, 468 (1965)
Арсенид галлия. Получение, свойства и применение (М., Наука, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель