Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga₂O₃ на сапфировых подложках базисной ориентации

Николаев В.И.^1,2,3, Печников А.И.^2,3, Степанов С.И.^3,4, Шарофидинов Ш.Ш.^3,1, Головатенко А.А.^2,3,1, Никитина И.П.¹, Смирнов А.Н.¹, Бугров В.Е.³, Романов А.Е.^3,1, Брунков П.Н.^3,1, Кириленко Д.А.^3,1

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия Perfect Crystals LLC, Saint-Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: vladimir.i.nikolaev@gmail.com

Поступила в редакцию: 16 декабря 2015 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом хлоридной эпитаксии получены эпитаксиальные слои beta-Ga₂O₃ на сапфире с использованием в качестве источника кислорода воздуха. Слои были исследованы с помощью методов рентгеновской дифракции, оптической, растровой электронной и просвечивающей электронной микроскопии, микрорамановской спектроскопии. Установлено, что слои ориентированы плоскостью ( 2 01) параллельно поверхности подложки и в них имеются отдельные крупные кристаллические зерна трех ориентаций, отличающихся друг от друга поворотом на 60^o в данной плоскости, что, вероятно, обусловлено различием в симметрии слоев и подложки.

M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. Appl. Phys. Lett., 100, 013 504 (2012)
T. Oshima, N. Arai, N. Suzuki, S. Ohira, S. Fujita. Thin Sol. Films, 516, 5768 (2008)
K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. J. Cryst. Growth, 378, 591 (2013)
K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, E.G. Vi llora, K. Shimamura, S. Yamakoshi. Appl. Phys. Express, 5, 035 502 (2012)
E.G. Villora, K. Shimamura, K. Kitamura, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 88, 031 105 (2006)
H. Okumura, M. Kita, K. Sasaki, A. Kuramata, M. Higashiwaki, J.S. Speck. Appl. Phys. Express, 7, 095 501 (2014)
W. Mi, C. Luan, Z. Li, C. Zhao, X. Feng, J. Ma. Optical Mater. (Amst), 35, 2624 (2013)
P. Ravadgar, R.H. Horng, T.Y. Wang. ECS J. Solid State Sci. Technol., 1, N58 (2012)
D. Gogova, G. Wagner, M. Baldini, M. Schmidbauer, K. Irmscher, R. Schewski, Z. Galazka, M. Albrecht, R. Fornari. J. Cryst. Growth., 401, 665 (2014)
G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova, M. Schmidbauer, R. Schewski, M. Albrecht, Z. Galazka, D. Klimm, R. Fornari. Phys. Status Solidi A, 211, 27 (2014)
D.J. Comstock, J.W. Elam. Chem. Mater., 24, 4011 (2012)
T. Matsumoto, M. Aoki, A. Kinoshita, T. Aono. Jpn. J. Appl. Phys., 13, 1578 (1974)
H. Murakami, K. Nomura, K. Goto, K. Sasaki, K. Kawara, Q.T. Thieг et al. Appl. Phys. Express, 8, 015 503 (2015)
Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. J. Cryst. Growth, 410, 53 (2015)
Y. Oshima, E.G. Vi llora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, K. Shimamura. J. Appl. Phys., 118, 085 301 (2015)
Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. Appl. Phys. Express, 8, 055 501 (2015)
R. Rao, A.M. Rao, B. Xu, J. Dong, S. Sharma, M.K. Sunkara. J. Appl. Phys., 98, 1 (2005)
A. Khan, S.N. Khan, W.M. Jadwisienczak, M.E. Kordesch. Sci. Adv. Mater., 1, 236 (2009)
T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, Y. Itoh, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda. J. Cryst. Growth, 401, 330 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель