Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии

Пархоменко Я.А.¹, Дементьев П.А.¹, Моисеев К.Д.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mkd@iropt2.ioffe.rssi.ru

Поступила в редакцию: 29 декабря 2015 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

PDF версия

Мы сообщаем о первых результатах по выращиванию квантовых точек в системе InSb/GaSb методом жидкофазной эпитаксии и исследованию их структурных характеристик методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что поверхностная плотность, форма и размеры наноостровков зависят от температуры наращивания и химии поверхности матрицы. Получены массивы квантовых точек InSb на подложках GaSb (001) в интервале температур T=450-465^oC, со средними размерами: высота h=3 нм, продольный размер D=30 нм и поверхностная плотность 3·10⁹ см^-2.

А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 375 (2001)
Н.Д. Стоянов, М.П. Михайлова, О.В. Андрейчук, К.Д. Моисеев, И.А. Андреев, М.А. Афраилов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 467 (2001)
В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27, 80 (2001)
K. Moiseev, V. Romanov, P. Dement'ev, M. Mikhailova. J. Cryst. Growth, 318, 379 (2011)
K.D. Moiseev, Ya.A. Parkhomenko, V.N. Nevedomsky. Thin Sol. Films, 543, 74 (2013)
K. Moiseev, V. Romanov, P. Dement'ev, E. Ivanov. J. Cryst. Growth, 414, 177 (2015)
В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 48 (7), 938 (2014)
N. Bertru, O. Brandt, M. Wassermeier, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 68, 31 (1996)
P. Mock, G.R. Booker, N.J. Mason, R.J. Nicholas, E. Aphandery, T. Topuria, N.D. Browning. Mater. Sci. Eng. B, 80, 112 (2001)
S. Shusterman, Y. Paltiel, A. Sher, V. Ezersky, Y. Rosenwaks. J. Cryst. Growth, 291, 363 (2006)
N. Deguffroy, V. Tasco, A.N. Baranov, E. Tournie, B. Satpari, A. Trampert, M. Dunaevski, A. Titkov, M. Ramonda. J. Appl. Phys., 101, 124 309 (2007)
E. Tournie, K.H. Ploog. Thin Sol. Films, 231, 43 (1993)
H.T. Johnson, L.B. Freund. J. Appl. Phys., 81, 6081 (1997)
К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 1142 (2009)
N.A. Bert, V.N. Nevedomsky, P.A. Dement`ev, K.D. Moiseev. Appl. Surf. Sci., 267, 77 (2013)
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 40, 519 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель