Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии

Шарофидинов Ш.Ш.^1,2, Николаев В.И.^1,2,3, Смирнов А.Н.¹, Чикиряка А.В.¹, Никитина И.П.¹, Одноблюдов М.А.⁴, Бугров В.Е.², Романов А.Е.^1,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия Perfect Crystals LLC, Saint-Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: shukrillo71@mail.ru

Поступила в редакцию: 7 июля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Основной проблемой при эпитаксиальном росте толстых слоев AlN на подложке Si является образование трещин, что затрудняет использование подобных структур для создания полупроводниковых приборов. В настоящей работе была продемонстрирована возможность получения слоев AlN без трещин толщиной более 1 мкм с зеркально-гладкой поверхностью методом хлорид-гидридной эпитаксии. Свойства выращенных слоев были исследованы методами рентгеновской дифрактометрии, оптической и сканирующей электронной микроскопии и рамановской спектроскопии.

S. Raghavan, J. Redwing. J. Appl. Phys., 96, (5), 2995 (2004)
M.A. Mastro, C.R. Eddy, jr., D.K. Gaskill, N.D. Bassim, J. Casey, A. Rosenberg, R.T. Holm, R.L. Henry, M.E. Twigg. J. Cryst. Growth, 287, 610 (2006)
В.Н. Бессолов, В.Ю. Давыдов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Г.Н. Мосина, С.Д. Раевский, С.Н. Родин, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, Hee Seok Park, M. Koike. Письма ЖТФ, 31, (21), 30 (2005)
A. Dadgar, T. Hempel, J. Blasing, O. Schulz, S. Fritze, J. Christen, A. Krost. Phys. Status Solidi C, 8, 1503 (2011)
Y. Feng, H. Wei, S. Yang, Z. Chen, L. Wang, S. Kong, G. Zhao, X. Liu. Sci. Rep. 4, Article 6416 (2014)
X. Wang, H. Li, J. Wang, L. Xiao. Electron. Mater. Lett., 10 (6), 1069 (2014)
Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, Н.В. Середова, М.Г. Мынбаева, В.Е. Бугров, М.А. Одноблюдов, С.И. Степанов, В.И. Николаев. Физика и механика материалов, 22 (1), 53 (2015)
M. Ali, A.E. Romanov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov. J. Cryst. Growth, 315 (1), 188 (2011)
J. Komiyama, K. Eriguchi, Y. Abe, S. Suzuki, H. Nakanishi, T. Yamane, H. Murakami, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 310, 96 (2008)
В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Оптич. журн., 78 (7), 23 (2011)
C.A. Arguello, D.L. Rousseau, S.P.S. Porto. Phys. Rev., 181, 1351 (1969)
V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12899 (1998)
T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S.A. Nikishin, N.N. Faleev, H. Temkin, S. Zollner. Phys. Rev., 63, 125 313 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель