Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
Пащенко А.С.1, Чеботарев С.Н.1, Лунин Л.С.1, Ирха В.А.2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2ООО СКТБ "ИНВЕРСИЯ", Ростов-на-Дону, Россия
2ООО СКТБ "ИНВЕРСИЯ", Ростов-на-Дону, Россия
Email: as.pashchenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Предложен способ легирования в процессе роста тонких пленок ионно-лучевой кристаллизацией. На примере Si и Sb показана возможность управляемого легирования полупроводников в процессе ионно-лучевой кристаллизации. Получена калибровочная температурная зависимость скорости потока паров сурьмы в диапазоне 150-400oC. Установлено, что повышение температуры испарителя больше 200oC приводит к накоплению примеси в направлении роста слоя. Выращены слои кремния, легированные сурьмой до концентрации 1018 см-3. Показано, что эффективность активации сурьмы в кремнии с увеличением температуры испарителя нелинейно уменьшается с ~100 до ~10-3.
- K. Seshan. Handbook of thin film deposition. (William Andrew, 2012)
- D.W. Reagor, V.Y. Butko. Nature Materials, 4, 593 (2005)
- N. Razek, A. Schindler, B. Rauschenbach. Vacuum, 81, 974 (2007)
- W.J. Kim, W.H. Koo, S.J. Jo, C.S. Kim, H.K. Baik. J. Vac. Sci. Technol. B, 23 (6), 2357 (2005)
- J.J. Ke, K.T. Tsai, Y.A. Dai, J.H. He. Appl. Phys. Lett., 100, 053503 (2012)
- K. Wang, Y. Vygranenko, A. Nathan. Thin Sol. Films, 516, 1640 (2008)
- J. Szezyrbowski, A. Czapla, M. Jachimovski. Thin Sol. Films, 42 (2), 193 (1977)
- И.А. Сысоев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова, А.В. Благин, Д.А. Гусев, Б.М. Середин. Неорг. матер., 50 (3), 237 (2014)
- M. Takeuchi, Y. Sakagawa, H. Nagasaka. Thin Sol. Films, 33 (1), 89 (1976)
- A. Zozime, G. Cohen-Solal, F. Bailly. Thin Sol. Films, 70 (1), 139 (1980)
- Л.С. Лунин, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.Н. Болобанова. Неорг. матер., 48 (5), 517 (2012)
- Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, Д.П. Алфимова, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко. Неорг. матер, 47 (8), 907 (2011)
- Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, Д.Л. Алфимова, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 58 (6), (2011)
- А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев, Л.С. Лунин. Неорг. матер., 51 (3), 243 (2015)
- Л.С. Лунин, А.С.Пащенко. ЖТФ, 81, (9), 71 (2011)
- С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, A. Williamson, Л.С. Лунин, В.А. Ирха, В.А. Гамидов. Письма ЖТФ, 41 (13), 102 (2015)
- Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко. Вестн. ЮНЦ РАН, 6 (4), 46 (2010)
- С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.С. Лунин, В.А. Ирха. Письма ЖТФ, 39 (16), 30 (2013)
- Л.С. Лунин, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко. Неорг. матер., 49 (5), 457 (2013)
- J.E. Greene. Critical Reviews in Sol. St. and Mater. Sci., 11 (3), 189 (1983)
- J.E. Greene, S.A. Barnett, K.C. Cadien, M.A. Ray. J. Cryst. Growth, 56 (2), 389 (1982)
- H.J. Hinnenberg, M. Weidner, G. Hect, C. Weissmantel. Thin Sol. Films, 33 (1), 29 1976
- J.T. Khan. J. Appl. Phys., 44 (1), 14 (1973)
- G.A. Unvala, K. Pearman. J. Mater. Sci. 5 (11), 1016 (1970)
- Технология тонких пленок (справочник), под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. (Нью-Йорк. 1970). Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. Т. 1. (М., Сов. радио, 1977)
- A.J. Noreika, M.H. Francombe. J. Appl. Phys., 52 (12), 7416 (1981)
- J.J. Harris. J. Mater. Sci.: Mater. in Electron., 4, 93 (1993)
- H.-J. Gossmann, E.F. Schubert. Critical Reviews in Sol. St. and Mater. Sci., 18 (1), 1 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
