"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
Пащенко А.С.1, Чеботарев С.Н.1, Лунин Л.С.1, Ирха В.А.2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2ООО СКТБ "ИНВЕРСИЯ", Ростов-на-Дону, Россия
Email: as.pashchenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Предложен способ легирования в процессе роста тонких пленок ионно-лучевой кристаллизацией. На примере Si и Sb показана возможность управляемого легирования полупроводников в процессе ионно-лучевой кристаллизации. Получена калибровочная температурная зависимость скорости потока паров сурьмы в диапазоне 150-400oC. Установлено, что повышение температуры испарителя больше 200oC приводит к накоплению примеси в направлении роста слоя. Выращены слои кремния, легированные сурьмой до концентрации 1018 см-3. Показано, что эффективность активации сурьмы в кремнии с увеличением температуры испарителя нелинейно уменьшается с ~100 до ~10-3.
  1. K. Seshan. Handbook of thin film deposition. (William Andrew, 2012)
  2. D.W. Reagor, V.Y. Butko. Nature Materials, 4, 593 (2005)
  3. N. Razek, A. Schindler, B. Rauschenbach. Vacuum, 81, 974 (2007)
  4. W.J. Kim, W.H. Koo, S.J. Jo, C.S. Kim, H.K. Baik. J. Vac. Sci. Technol. B, 23 (6), 2357 (2005)
  5. J.J. Ke, K.T. Tsai, Y.A. Dai, J.H. He. Appl. Phys. Lett., 100, 053503 (2012)
  6. K. Wang, Y. Vygranenko, A. Nathan. Thin Sol. Films, 516, 1640 (2008)
  7. J. Szezyrbowski, A. Czapla, M. Jachimovski. Thin Sol. Films, 42 (2), 193 (1977)
  8. И.А. Сысоев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова, А.В. Благин, Д.А. Гусев, Б.М. Середин. Неорг. матер., 50 (3), 237 (2014)
  9. M. Takeuchi, Y. Sakagawa, H. Nagasaka. Thin Sol. Films, 33 (1), 89 (1976)
  10. A. Zozime, G. Cohen-Solal, F. Bailly. Thin Sol. Films, 70 (1), 139 (1980)
  11. Л.С. Лунин, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.Н. Болобанова. Неорг. матер., 48 (5), 517 (2012)
  12. Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, Д.П. Алфимова, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко. Неорг. матер, 47 (8), 907 (2011)
  13. Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, Д.Л. Алфимова, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 58 (6), (2011)
  14. А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев, Л.С. Лунин. Неорг. матер., 51 (3), 243 (2015)
  15. Л.С. Лунин, А.С.Пащенко. ЖТФ, 81, (9), 71 (2011)
  16. С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, A. Williamson, Л.С. Лунин, В.А. Ирха, В.А. Гамидов. Письма ЖТФ, 41 (13), 102 (2015)
  17. Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко. Вестн. ЮНЦ РАН, 6 (4), 46 (2010)
  18. С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.С. Лунин, В.А. Ирха. Письма ЖТФ, 39 (16), 30 (2013)
  19. Л.С. Лунин, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко. Неорг. матер., 49 (5), 457 (2013)
  20. J.E. Greene. Critical Reviews in Sol. St. and Mater. Sci., 11 (3), 189 (1983)
  21. J.E. Greene, S.A. Barnett, K.C. Cadien, M.A. Ray. J. Cryst. Growth, 56 (2), 389 (1982)
  22. H.J. Hinnenberg, M. Weidner, G. Hect, C. Weissmantel. Thin Sol. Films, 33 (1), 29 1976
  23. J.T. Khan. J. Appl. Phys., 44 (1), 14 (1973)
  24. G.A. Unvala, K. Pearman. J. Mater. Sci. 5 (11), 1016 (1970)
  25. Технология тонких пленок (справочник), под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. (Нью-Йорк. 1970). Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. Т. 1. (М., Сов. радио, 1977)
  26. A.J. Noreika, M.H. Francombe. J. Appl. Phys., 52 (12), 7416 (1981)
  27. J.J. Harris. J. Mater. Sci.: Mater. in Electron., 4, 93 (1993)
  28. H.-J. Gossmann, E.F. Schubert. Critical Reviews in Sol. St. and Mater. Sci., 18 (1), 1 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.