Вышедшие номера
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
Пащенко А.С.1, Чеботарев С.Н.1, Лунин Л.С.1, Ирха В.А.2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2ООО СКТБ "ИНВЕРСИЯ", Ростов-на-Дону, Россия
Email: as.pashchenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Предложен способ легирования в процессе роста тонких пленок ионно-лучевой кристаллизацией. На примере Si и Sb показана возможность управляемого легирования полупроводников в процессе ионно-лучевой кристаллизации. Получена калибровочная температурная зависимость скорости потока паров сурьмы в диапазоне 150-400oC. Установлено, что повышение температуры испарителя больше 200oC приводит к накоплению примеси в направлении роста слоя. Выращены слои кремния, легированные сурьмой до концентрации 1018 см-3. Показано, что эффективность активации сурьмы в кремнии с увеличением температуры испарителя нелинейно уменьшается с ~100 до ~10-3.