"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS
Корсунская Н.Е.1, Шульга Е.П.1, Стара Т.Р.1, Литвин П.М.1, Бондаренко В.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: stara_t@ukr.net
Поступила в редакцию: 31 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Исследовано влияние ультрафиолетового излучения на электрические и спектральные характеристики фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS. Установлено, что облучение приводит к уменьшению их фоточувствительности, а также к изменению вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и рельефа поверхности запирающего электрода. Показано, что основной причиной уменьшения фоточувствительности диодов является фотостимулированный дрейф подвижных доноров в поле барьера, который зависит от кристаллографической ориентации облучаемой поверхности. Другим фотостимулированным процессом, наблюдавшимся в исследованных диодах, является фотолиз кристалла. Он определяет в основном изменение электрических характеристик диодов, а также рельефа поверхности электрода при незначительном изменении фоточувствительности.
  1. Н.В. Горбенко, Л.А. Косяченко, В.П. Махний, М.К. Шейнкман. ФТП, 22 (9), 1651 (1987)
  2. Y. Yu, L. Luo, M. Wang, B. Wang, L. Zeng, C. Wu, J. Jie, J.-W. Liu, L. Wang, S.-H. Yu. Nanj Research, DOI: 10.1007/s12274-014-05787-S
  3. Н.В. Горбенко, Л.А. Косяченко, В.П. Махний, М.К. Шейнкман. ЖПС, 51 (2), 335 (1989)
  4. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Н.В. Алкеев, В.М. Котов, Л.Ю. Захаров, Н.Б. Гладышева. ЖТФ, 82 (11), 49 (2012)
  5. M.Y. Chen, C.C. Chang. Jpn. J. Appl. Phys., 48 (11R), 112 201 (2009)
  6. В.В. Лосев, Б.М. Орлов, В.И. Стафеев. ФТП, 9 (1), 25 (1975)
  7. V.V. Losev. Semiconductors, 43 (13), 1700 (2009)
  8. Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Ф.М. Павелец, М.П. Киселюк, Н.В. Ярошенко. ФТП, 44 (8), 1114 (2010)
  9. Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев. Функциональная микро- и наноэлектроника, 5, 29 (2009)
  10. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, ФТП, 37 (9), 1025 (2003)
  11. W. Tian, C. Zhang, T. Zhai, S.-L. Li, X. Wang, J. Liu, X. Jie, D. Liu, M. Liao, Y. Koide, D. Golberg, Y. Bando. Adv. Mater., 26 (19), 3087 (2014)
  12. L.V. Borkovska, N.O. Korsunska, I.V. Markevich, M.K. Sheinkman. In: New Developments in Condensed Matter Physics, ed. by J.V. Chang (Nova Science, 2006) p. 215
  13. Z. Morlin. Phys. Status Solidi, 2 (2), 205 (1962)
  14. P. Sviszt. Phys. Status Solidi, 4 (3), 631 (1964)
  15. P. Sviszt, P. Kovacs. Phys. Status Solidi, 9 (1), K5 (1965)
  16. P. Sviszt. Phys. Status Solidi A, 4 (2), K113 (1971)
  17. В.Н. Семенов, В.Г. Клюев, Е.В. Деревянко и др. Неорг. матер., 23 (2), 202 (1987)
  18. М.В. Кочкина, В.Г. Клюев, И.П. Старов, В.Н. Семенов. Конденсированные среды и межфазные границы, 5 (2), 204 (2003)
  19. И.А. Дроздова, Б. Ембергенов, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. ФТП, 27 (4), 674 (1993)
  20. J.R. Richardson, R.O. Baertsch. Solid Stat. Electron., 12 (5), 393 (1969)
  21. I. Markevich, N. Korsunska. T. Stara. Тез. докл. VI Укр. научн. конф. по физике полупроводников (Черновцы, Украина, 2013) с. 509
  22. А.П. Ахоян, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. Письма ЖТФ, 11 (1), 41 (1985)
  23. А.П. Ахоян, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. ЖПС, 49 (5), 859 (1988)
  24. Е.В. Орешко. Автореф. канд. дис. (Киев, ИФП, 1989)
  25. Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. ФТП, 13 (3), 435 (1979)
  26. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.