"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоприемники на основе CuInS2
Булярский С.В.1, Вострецова Л.Н.1, Гаврилов С.А.2
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: Kapiton04@yandex.ru
Поступила в редакцию: 23 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Показано, что процессы переноса носителей заряда, определяющих темновые вольт-амперные характеристики фотоприемников на основе CuInS2 и, следовательно, эффективность преобразования излучения, являются туннельно-рекомбинационными. Эти процессы происходят через электронные состояния внутри запрещенной зоны, имеющие энергию активации 0.2 эВ и концентрацию ~8·1016 см-3.
  1. A. Catalano, Solar Energy Mater. Solar Cells, 41/42, 205 (1996)
  2. R.W. Birkmire, Solar Energy Mater. Solar Cells, 65, 17 (2001)
  3. H.W. Schock, R. Noufi, Prog. Photovoltaic. Res. Appl., 8, 151 (2000)
  4. Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М.; Сов. радио, 1968)
  5. Y. Tomm, S. Fiechter, J. Ceramic Proc. Res. 6, (2), 141 (2005)
  6. В.Б. Залесский, В.М. Кравченко, Т.Р. Леонова, Л.М. Поликанин, Е.П. Зарецкая, С.Г. Петросян, Л.М. Кечиянц. Проблемы физики, математики и техники, N 1 (14), 27 (2013)
  7. C.H. Henry. J. Appl. Phys., 51, 4494 (1980)
  8. S. Siebentritt. Thin Sol. Films, 403-- 404, 1 (2002)
  9. R. Klenk, P. Dobson, M. Falz, N. Janke, J. Kaer, I. Luck, A. Perez-Rodiguez, R. Scheer, E. Terzini. Proc. 16th EPVSEC (Glasgow, 2000)
  10. K. Siemer, J. Klaer, I. Luck, J. Bruns, R. Klenk, D. Braunig. Solar Energy Mater. Solar Cells, 67, 159 (2001)
  11. С.В. Булярский, А.С. Басаев. Изв. вузов, Поволжский регион", сер. Естественные науки, N 2 (5), 141 (2003)
  12. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. ЖЭТФ, 118 (11), 1222 (2000)
  13. С.В. Булярский, Ю.В. Рудь, А.С. Кагарманов, Л.Н. Вострецова, О.А. Трифонов. ФТП, 43 (4), 460 (2009)
  14. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
  15. Н.С. Грушко, А.В. Лакалин, Е.А. Евстигнеева. Изв. вузов. Электроника, 2002. N 3, 48 (2002)
  16. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во томского ун-та, 1989)
  17. С.В. Булярский. Туннельно-рекомбинационные процессы в наноструктурированных элементах / С.В. Булярский (Palmarium academic publishing, 2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.