Вышедшие номера
Фотоприемники на основе CuInS2
Булярский С.В.1, Вострецова Л.Н.1, Гаврилов С.А.2
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: Kapiton04@yandex.ru
Поступила в редакцию: 23 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Показано, что процессы переноса носителей заряда, определяющих темновые вольт-амперные характеристики фотоприемников на основе CuInS2 и, следовательно, эффективность преобразования излучения, являются туннельно-рекомбинационными. Эти процессы происходят через электронные состояния внутри запрещенной зоны, имеющие энергию активации 0.2 эВ и концентрацию ~8·1016 см-3.