Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоприемники на основе CuInS₂

Булярский С.В.¹, Вострецова Л.Н.¹, Гаврилов С.А.²

¹Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia

²Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

Email: Kapiton04@yandex.ru

Поступила в редакцию: 23 марта 2015 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

PDF версия

Показано, что процессы переноса носителей заряда, определяющих темновые вольт-амперные характеристики фотоприемников на основе CuInS₂ и, следовательно, эффективность преобразования излучения, являются туннельно-рекомбинационными. Эти процессы происходят через электронные состояния внутри запрещенной зоны, имеющие энергию активации 0.2 эВ и концентрацию ~8·10¹⁶ см^-3.

A. Catalano, Solar Energy Mater. Solar Cells, 41/42, 205 (1996)
R.W. Birkmire, Solar Energy Mater. Solar Cells, 65, 17 (2001)
H.W. Schock, R. Noufi, Prog. Photovoltaic. Res. Appl., 8, 151 (2000)
Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М.; Сов. радио, 1968)
Y. Tomm, S. Fiechter, J. Ceramic Proc. Res. 6, (2), 141 (2005)
В.Б. Залесский, В.М. Кравченко, Т.Р. Леонова, Л.М. Поликанин, Е.П. Зарецкая, С.Г. Петросян, Л.М. Кечиянц. Проблемы физики, математики и техники, N 1 (14), 27 (2013)
C.H. Henry. J. Appl. Phys., 51, 4494 (1980)
S. Siebentritt. Thin Sol. Films, 403-- 404, 1 (2002)
R. Klenk, P. Dobson, M. Falz, N. Janke, J. Kaer, I. Luck, A. Perez-Rodiguez, R. Scheer, E. Terzini. Proc. 16th EPVSEC (Glasgow, 2000)
K. Siemer, J. Klaer, I. Luck, J. Bruns, R. Klenk, D. Braunig. Solar Energy Mater. Solar Cells, 67, 159 (2001)
С.В. Булярский, А.С. Басаев. Изв. вузов, Поволжский регион", сер. Естественные науки, N 2 (5), 141 (2003)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко. ЖЭТФ, 118 (11), 1222 (2000)
С.В. Булярский, Ю.В. Рудь, А.С. Кагарманов, Л.Н. Вострецова, О.А. Трифонов. ФТП, 43 (4), 460 (2009)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
Н.С. Грушко, А.В. Лакалин, Е.А. Евстигнеева. Изв. вузов. Электроника, 2002. N 3, 48 (2002)
В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во томского ун-та, 1989)
С.В. Булярский. Туннельно-рекомбинационные процессы в наноструктурированных элементах / С.В. Булярский (Palmarium academic publishing, 2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель