"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO2/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
Михайлов А.И.1,2, Афанасьев А.В.1, Ильин В.А.1, Лучинин В.В.1, Sledziewski T., Решанов С.А.3, Schoner A.2,3, Krieger M.
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Acreo Swedish ICT AB, Kista, Sweden
3Ascatron AB, Kista, Sweden
Поступила в редакцию: 19 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Исследовано влияние имплантации ионов фосфора в эпитаксиальный слой 4H-SiC непосредственно перед термическим ростом подзатворного диэлектрика в атмосфере сухого кислорода на надежностные характеристики подзатворного диэлектрика. Установлено, что наряду с пассивацией поверхностных состояний внедрение ионов фосфора приводит к незначительному снижению поля диэлектрического пробоя и уменьшению высоты энергетического барьера между карбидом кремния и диэлектриком, связанными с присутствием атомов фосфора на 4H-SiC/SiO2 интерфейсе и в объеме диоксида кремния.
  1. A. Agarwal, R. Callanan, M. Das, B. Hull, J. Richmond, S.-H. Ryu, J. Palmour. 13-=SUP=-th-=/SUP=- Eur. Conf. on Power Electronics and Applications, 2009
  2. R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, D. Stephani. IEEE Electron. Dev. Lett., 20, 241 (1999)
  3. А.И. Михайлов, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, С.А. Решанов, М. Krieger, А. Schoner, Т. Sledziewski. ФТП, 48 (12), 1621 (2014)
  4. R.H. Fowler, L. Nordheim. Proc. Royal Soc., 109, NA781, 173 (1928)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.