Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния

Мынбаева М.Г.^1,2, Лаврентьев А.А.², Мынбаев К.Д.^2,1

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mgm@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 6 мая 2015 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

PDF версия

Изучены условия синтеза углеродных покрытий на поверхности пластин карбида кремния (SiC), получаемых методом термического разложения. Исследовано влияние температуры и состава атмосферы отжига образцов на характер структурных свойств получаемых слоев. В результате определены условия, при которых могут быть получены сплошные пленки графита как с поликристаллической, так и с монокристаллической структурой.

С.В. Морозов, К.С. Новоселов, А.К. Гейм. УФН, 178, 776 (2008)
E. Rollings, G.-H. Gweon, S.Y. Zhou, B.S. Mun, J.L. McChesney, B.S. Hussain, A.V. Fedorov, P.N. First, W.A. de Heer, A. Lanzara. J. Phys. Chem. Sol., 67, 2172 (2006)
S. Tongay, T. Schumann, X. Miao, B.R. Appleton, A.F. Hebard. Carbon, 49, 2033 (2011)
S. Tongay, T. Schumann, A.F. Hebard. Appl. Phys. Lett., 95, 222 103 (2009)
L. Edman, B. Sundquist, E. McRae, E. Litvin-Staszewska. Phys. Rev. B, 57, 6227 (1998)
I. Forbeaux, J.-M. Themlin, J.-M. Debever. Phys. Rev. B, 56, 396 (1998)
T. Seyller, K.V. Emtsev, F. Speck, K.Y. Gao, L. Ley. Mater. Sci. Forum, 556- 557, 701 (2007)
А.А. Лебедев, Н.В. Агринская, С.П. Лебедев, М.Г. Мынбаева, В.Н. Петров, А.Н. Смирнов, А.М. Стрельчук, А.Н. Титков, Д.В. Шамшур. ФТП, 45, 634 (2011)
О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, B.C. Киселев, Р.В. Конакова, А.А. Лебедев, В.В. Миленин, О.Б. Охрименко, В.В. Поляков, A.M. Светличный, Д.И. Чередниченко. Карбид кремния: технология, свойства, применение (Харьков, ИСМА, 2010)
L. Muehlhoff, W.J. Choyke, M.J. Bozack, J.T. Yates. J. Appl. Phys., 60, 2842 (1986)
T. Tsukamoto, M. Hiria, M. Kusaka, M. Iwami, T. Ozawa, T. Nagamura, T. Nakata. Surf. Sci., 371, 316 (1997)
N. Ferralis, J. Kawasaki, R. Maboudian, C. Carraro. Appl. Phys. Lett., 93, 191 916 (2008)
J. Hass, F. Varchon, J.E. Millan-Otoya, M. Sprinkle, N. Sharma, W.A. de Heer, C. Berger, P.N. First, L. Magaud, E.H. Conrad. Phys. Rev. Lett., 100, 125 504 (2008)
J. Hass, W.A. de Heer, E.H. Conrad. J. Phys.: Condens. Matter., 20, 323 202 (2008)
T. Seyller, K.V. Emtsev, F. Speck, K.-Y. Gao, L. Ley. Appl. Phys. Lett., 88, 242 103 (2006)
Z. Yan, G. Liu, J.M. Khan, A.A. Balandin. Nature Commun., 3, 827 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель