"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
Емельянов В.М.1, Сорокина С.В.1, Хвостиков В.П.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: resso2003@bk.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Методом математического моделирования проведен анализ достижимых значений эффективности фотоэлектрического преобразования лазерного излучения с длиной волны 1.3 и 1.55 мкм в гетероструктурах In0.53Ga0.47As/InP с вводом излучения со стороны подложки n-InP. Исследовано влияние параметров гетероструктуры In0.53Ga0.47As/InP и конструкции фотопреобразователя лазерного излучения на кпд. Проведено сравнение характеристик промоделированных фотопроизводителей In0.53Ga0.47As/InP и фотопреобразователей на основе GaAs для длины волны 809 нм. Показано, что при мощностях излучения 2-6 Вт достижимы значения кпд 40% для длины волны 1.3 мкм и близкие к 50% для длины волны 1.55 мкм, однако при больших мощностях кпд заметно снижается. Установлено, что основным фактором, препятствующим достижению высокой эффективности преобразования излучения большой мощности, являются потери в подложке n-InP. Оценен оптимальный уровень легирования подложек n-InP для фотопреобразоватей лазерного излучения различной мощности.
  1. G.A. Landis. J. Propulsion Power, 8 (1), 251 (1992)
  2. J. Hecht. New Scientist, 207 (2777), 25 (2010)
  3. F. Steinsiek, W.P. Foth, K.H. Weber, C. Schaefer, H.J. Foth. Proc. 54th IAC (Bremen, Germany, 2003) IAC-03-R.3.06
  4. G.A. Landis. Proc. SPIE Optics, Electro-optics \& Laser Conference (Los Angeles CA, USA, 1994) v. 2121, p. 252
  5. M. Mori, H. Kagawa, Y. Saito. Proc. Conf. Solar Power from Space '04 (Granada, Spain, 2004) v. 567, p. 3
  6. H. Suzuki, T. Fujita, M. Mori. Proc. 57th IAC (Valencia, Spain, 2006) IAC-06-C3.2.4
  7. M. Dumke, G. Heiserich, S. Franke, L. Schulz, L. Overmeyer. J. Systemics Cybernetics. Informatics, 8 (1), 55 (2010)
  8. В.М. Андреев, Б.В. Егоров, А.М. Койнова, В.М. Лантратов, В.Д. Румянцев, ФТП, 20 (3), 435 (1986)
  9. R. Pena, C. Algora. Proc. 20th EU Conf. on PV Solar Energy (Barcelona, Spain, 2005) p. 488
  10. E. Oliva, F. Dimroth, A.W. Bett. Prog. in PV: Res. and Appl., 16 (4), 289 (2008)
  11. V. Andreev, V. Khvostikov, V. Kalinovsky, V. Lantratov, V. Grilikhes, V. Rumyantsev, M. Shvarts, V. Fokanov, A. Pavlov. Proc. 3rd World Conf. PV Energy Conv. (Osaka, Japan, 2003) v. 1, p. 761
  12. Л.Б. Карлина, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Н.Х. Тимошина. ФТП, 40 (3), 351 (2006)
  13. Л.Б. Карлина, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Е.П. Ракова, Н.Х. Тимошина, В.М. Андреев. ФТП, 44 (2), 240 (2010)
  14. N. Dharmarasu, M. Yamaguchi, A. Khan, T. Yamada, T. Tanabe, S. Takagishi, T. Takamoto, T. Ohshima, H. Itoh, M. Imaizumi, S. Matsuda. Appl. Phys. Lett., 79 (15), 2399 (2001)
  15. V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, M.A. Mintairov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Proc. 25th EPSEC (Valencia, Spain, 2010) p. 406
  16. V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina. Proc. 23rd EPSEC (Valencia, Spain, 2008) p. 375
  17. А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые фотопреобразователи (М., Сов. радио, 1971) с. 84, 221, 222
  18. S.S. Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information (Kluwer Academic, Boston, 1999)
  19. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27 (2), 985 (1983)
  20. T.P. Pearsall, J.P. Hirtz. J. Cryst. Growth, 54 (1), 127 (1981)
  21. T.P. Pearsall. GaInAsP Alloy Semiconductors (John Wiley and Sons, 1982)
  22. C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt, C.G. Bethea. Electron. Lett., 20 (9), 358 (1984)
  23. O.K. Kim, W.A. Bonner. J. Electron. Mater., 12 (5), 827 (1983)
  24. В.И. Корольков, В.С. Юферев. ФТП, 14 (6), 1064 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.