Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии

Макеев М.О.¹, Иванов Ю.А.¹, Мешков С.А.¹

¹Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия Bauman Moscow State Technical University, Moscow, Russia

Email: mc.stiv@gmail.com

Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработана методика оценки качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур с точки зрения их стойкости к диффузионной деструкции. Методом ИК-спектральной эллипсометрии выявлено диффузионное размытие слоев AlAs/GaAs гетероструктуры и определены коэффициенты диффузии Al и Si в GaAs.

Н.В. Алкеев, С.И. Аверин, А.А. Дорофеев, Н.Б. Гладышева, М.Ю. Торгашин. Микроэлектроника, 39 (5), 356 (2010)
В.Н. Вьюгинов, А.Г. Гудков, В.А. Добров, С.А. Мешков, В.В. Попов. Электромагнитные волны и электрон. системы, 1, 4 (2012)
Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, И.А. Федоренко, Н.В. Федоркова, В.Д. Шашурин. РЭ, 55 (8), 982 (2010)
Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Н.В. Федоркова, И.А. Федоренко. Вестн. МГТУ им. Н.Э. Баумана, Сер. Приборостроение, спец. выпуск "Наноинженерия", 128 (2010)
Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, В.Ю. Синякин, И.А. Федоренко, Н.В. Федоркова, И.Б. Федоров, В.Д. Шашурин. Наноинженерия, 1, 34 (2011)
P. Mei, H.W. Yoon, T. Venkatesan, S.A. Schwarz, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 50 (25), 1823 (1987)
S. Yu, U.M. Gosele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 66 (7), 2952 (1989)
T.Y. Tan, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 52 (15), 1240 (1988)
T.Y. Tan, S. Yu, U. Gosele. J. Appl. Phys., 70 (9), 4823 (1991)
U. Gosele, T.Y. Tan, M. Schultz, U. Egger, P. Werner, R. Scholz, O. Breitenstein. Def. Dif. Forum, 143- 149, 1079 (1997)
C.-H. Chen, U.M. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. A, 69, 313 (1999)
H.-M. You, U.M. Gosele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 73 (11), 7207 (1993)
I. Harrison, H.P. Ho, N. Baba Ali. J. Electron. Mater., 20 (6), 449 (1991)
L. Pavesi, Nguyen Hong Ky, J.D. Ganiere, F.K. Reinhart, N. Baba-Ali, I. Harrison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71 (5), 2225 (1992)
K.H. Lee, D.A. Stevenson, M.D. Deal. J. Appl. Phys., 68 (8), 4008 (1990)
H. Bracht, E.E. Haller, K. Eberl, M. Cardona. Appl. Phys. Lett., 74 (1), 49 (1999)
S.F. Wee, M.K. Chai, K.P. Homewood, W.P. Gillin. J. Appl. Phys., 82 (10), 4842 (1997)
B.L. Olmsted, S.N. Houde-Walter. Appl. Phys. Lett., 63 (4), 530 (1993)
L. Wang, L. Hsu, E.E. Haller, J.W. Erickson, A. Fischer, K. Eberl, M. Cardona. Phys. Rev. Lett., 76, 2342 (1996)
H. Ono, N. Ikarashi, T. Baba. Appl. Phys. Lett., 66 (5), 601 (1995)
J.J. Murray, M.D. Deal, E.L. Allen, D.A. Stevenson, S. Nozaki. J. Electrochem. Soc., 137 (7), 2037 (1992)
H. Mehrer. Diffusion in Solids. Fundamentals, Methods, Diffusion-controlled Processes (Springer, 2009)
D.J. Fisher. Diffusion in GaAs and other III-V semiconductors. 10 years of Research (Scitec Publications, 1998)
F. El-Mellouhi, N. Mousseau. J. Appl. Phys., 100 (8), 083 521 (2006)
R.M. Cohen. J. Appl. Phys., 67 (12), 7268 (1990)
J. Hilfiker, C. Bungay, R. Synowicki, T. Tiwald, C. Herzinger, B. Johs, G. Pribil, J.A. Woollam. J. Vac. Sci. Technol. A, 21 (4), 1103 (2003)
J. Hilfiker, N. Singh, T. Tiwald, D. Convey, S.M. Smith, J.H. Baker, H.G. Tompkins. Thin Sol. Films, 516, 7979 (2008)
H.G. Tompkins, T. Tiwald, C. Bungay, A.E. Hooper. J. Phys. Chem. B, 108 (12), 3777 (2004)
М.О. Макеев, Е.А. Жукова. Наука и образование: электронное научн.-техн. изд., 7, 229 (2013)
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков. Наноинженерия, 4, 44 (2011)
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, В.Д. Шашурин. Наука и образование: электронное научн.-техн. изд., 11, 229 (2013)
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, В.Ю. Синякин. Нано- и микросистемная техника, 12, 23 (2014)
M.O. Makeev, Yu.A. Ivanov, V.Yu. Sinyakin, S.A. Meshkov, S.V. Agasieva, V.D. Shashurin. CriMiCo 2014-2014 24th Int. Crimean Conf. Microwave and Telecommunication Technology, Conf. Proceedings (Sevastopol, Crimea, Russia, 2014) p. 754
M.O. Makeev, Yu.A. Ivanov, S.A. Meshkov, A.B. Gil'man, M.Yu. Yablokov. High Energy Chemistry, 45 (6), 536 (2011)
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, А.Б. Гильман, М.Ю. Яблоков. Нанотехника, 3, 27 (2011)
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, Н.А. Ветрова, С.А. Козубняк. Вестн. МГТУ. Сер. Приборостроение, S, 80 (2010)
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, Ю.Н. Литвак, С.А. Мешков, Д.Э. Мигаль, В.В. Назаров. Наноинженерия, 1, 24 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель