"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на основе GaAs
Зайнабидинов С.З.1, Саидов А.С.2, Лейдерман А.Ю.2, Каланов М.У.3, Усмонов Ш.Н.2, Рустамова В.М.3, Бобоев А.Й.1,3
1Андижанской государственный университет им. З.М. Бабура, Андижан, Узбекистан
2Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3Институт ядерной физика Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: prof_sirojiddin@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Показана возможность выращивания твердого раствора (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка является монокристаллической с ориентацией (100) и имеет сфалеритную структуру. Параметр кристаллической решетки пленки составлял af=0.56697 нм. Особенности спектральной зависимости фоточувствительности обусловлены образованием различных комплексов заряженных компонентов. Установлено, что вольт-амперная характеристика таких структур при малых напряжениях (до 0.4 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I0exp(qV/ckT), а при больших (V>0.5 В) --- степенной зависимостью типа J~ Valpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса.
  1. Ж.И. Алфёров. УФН, 172 (9), 1072 (2002)
  2. S.L. Sheng. Semiconductor Physical Electronics (2006). ISBN 978-0387-28893-2
  3. A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, V.A. Risaeva, E.A. Koschanov. Mater. Chem. and Phys., 68, (2001)
  4. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. pадио, 1975)
  5. А.С. Саидов, М.С. Саидов, Э.А. Кошчанов. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев aрсенида галлия и твердых растворов на его основе (Ташкент, Фан, 1986)
  6. Справочник химика, под. ред. Б.П. Никольского. (М.Л., Химия, 1982)
  7. М.С. Саидов. Гелиотехника, 3, 4 (2001)
  8. С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электронографический анализ (М., Металлургия, 1970)
  9. И.Л. Шулпина, Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, И.А. Прохоров, И.Ж. Безбах, М.П. Щеглов. ЖТФ, 80 (4), 105 (2010)
  10. Краткий справочник физико-химических величин, под ред. А.А. Равделя и А.М. Пономаревой. (Л., Химия, 1983)
  11. К.А. Амонов. Матер. XLVIII междунар. науч. студ. конф. (Новосибирск, 2010) ст. 182
  12. В.И. Стафеев. ЖТФ, 28 (9), 1631 (1958)
  13. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Советское радио, 1978)
  14. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  15. А.Ю. Лейдерман. В кн.: Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями (М., Металлургия, 1987) ст. 232
  16. А.Ю. Лейдерман, М.К. Минбаева. ФТП, 30, 1729 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.