"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки
Яфаров Р.К.1, Шаныгин В.Я.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Email: pirpc@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Исследована морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кремния (100) после низкоэнергетичного СВЧ плазмохимического травления в различных плазмообразующих средах. Установлено, что релаксационные изменения поверхностной плотности и высоты атомных выступов после плазменной обработки в инертной и химически активной средах имеют разнонаправленный характер. После обработки в среде хладона-14 минимизация свободной энергии осуществляется в результате уменьшения поверхностной плотности микровыступов и увеличения их высоты. После обработки в плазме аргона наблюдается незначительное возрастание плотности выступов при одновременном уменьшении высот. Рассмотрены физико-химические процессы, обусловливающие эти изменения.
  1. Атомная структура полупроводниковых систем, отв. ред. А.Л. Асеев (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2006)
  2. В.Я. Шаныгин, Р.К. Яфаров. ФТП, 47 (4), 447 (2013)
  3. Технология СБИС, под ред. С. Зи. (М., Мир, 1985)
  4. Р.К. Яфаров. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий (М., Физматлит, 2009)
  5. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  6. С.И. Матюхин, К.Ю. Фроленков. Конденсированные среды и межфазные границы, 5 (2), 216 (2003)
  7. К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006)
  8. Р.К. Яфаров, С.А. Климова. Микроэлектроника, 43 (3), 305 (2014)
  9. И.П. Суздалев. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов (М., Ком Книга, 2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.