"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства тонких пленок PbS
Ахмедов О.Р.1, Гусейналиев М.Г.1, Абдуллаев Н.А.2, Абдуллаев Н.М.2, Бабаев С.С.2, Касумов Н.А.2
1Нахчыванское отделение Национальной академии наук Азербайджана, A Нахчывань, Азербайджан
2Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: orucahmedov@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Методом спектроскопической эллипсометрии исследована комплексная диэлектрическая функция тонких пленок PbS в спектральном диапазоне 0.74-6.45 эВ при температуре 293 K. Определены значения критических энергий, равные соответственно E1=3.53 и E2=4.57 эВ. Лучшая подгонка для обоих энергетических областей получилась в критической точке 2D (m=0). Также исследованы спектры комбинационного рассеяния света и спектры оптического поглощения в тонких пленках PbS. Из зависимости (alpha hnu)2 от hnu установлена ширина запрещенной зоны PbS: Eg=0.37 эВ.
  1. А.И. Власенко, С.Н. Левицкий, П.А. Генцарь, Ц.А. Крыськов. Актуальные проблемы ФТТ: Сб. докл. Междунар. науч. конф. В 3-х т. (Минск, Беларусия, 2009) т. 2, центр БГУ
  2. Ю.И. Равич, В.А. Ефимова, В.А. Смирнова. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
  3. M.S. Ghamsari, M.K. Araghi, S.J. Farahani. Mater. Sci. Eng. B, 133, 113 (2006)
  4. A.M. Malyarevich et al. J. Non-Cryst. Sol., 353, 1195 (2007)
  5. T.K. Chaudhuri. Int. J. Ener. Res., 16, 481 (1992)
  6. S. Gunes et al. Solar Energy Mater. Solar Cells, 91, 420 (2007)
  7. R.K. Das, S. Sahoo, G.S. Tripathi. Semicond. Sci. Technol., 19, 433 (2004)
  8. M. Gugliemi et al. J. Sol-Gel Sci. Technol., 11, 229 (1997)
  9. В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, П.Н. Иванов. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент (Екатеринбург, УрО РАН, 2006) с. 21
  10. S. Abe, K. Mochizukt, K. Masumoto, Nippon Kinroku. J. Jpn., Inst. Met., 56, 1479 (1992)
  11. С.И. Садовников, А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Письма ЖЭТФ, 89, 279 (2009)
  12. Т.Г. Керимова, Н.А. Абдуллаев, И.А. Мамедова, З.И. Бадалова, Р.А. Гулиев, R. Paucar, K. Wakita, Н.Т. Мамедов. ФТП, 47 (6), 751 (2013)
  13. A.V. Baranov, K.V. Bogdanov, E.V. Ushakova, S.A. Cherevkov, A.V. Fedorov, S. Tscharntke. Opt. Spectrosc., 109, 268 (2010)
  14. M. Cheraghizade, R. Yousefi, F. Jamali-Sheini, A. Sa'aedi. Majlesi J. Telecom. Dev., 2, 163 (2013)
  15. А.Г. Милёхин. Автореф. докт. дис. (Новосибирск, Ин-т ФП СО РАН, 2007)
  16. М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  17. J. Tauc (ed.). Amorphous and Liquid Semiconductors (N. Y., Plenum Press, 1974) p. 159
  18. J.I. Pankove. Optical Process in Semiconductors (New Jersey, USA, (1971) p. 34
  19. J.J. Valenzuela-Jauregui, R. Ramrez-Bon, A. Mendoza-Galvan, M. Sotelo-Lerma. Thin Sol. Films, 441, 104 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.