Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A

Галиев Г.Б.¹, Климов Е.А.¹, Грехов М.М.², Пушкарев С.С.¹, Лаврухин Д.В.¹, Мальцев П.П.¹

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Email: galiev_galib@mail.ru

Поступила в редакцию: 19 мая 2015 г.

Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались нелегированные, однородно легированные Si и delta-легированные Si слои GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 230^oC на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией (100) и (111)A. Давление As₄ варьировалось. Шероховатость поверхности образцов определялась с помощью атомно-силовой микроскопии, кристаллическое совершенство образцов - с помощью рентгеновской дифрактометрии, энергетические уровни различных дефектов - с помощью спектроскопии фотолюминесценции при температуре 79 K. Показано, что кристаллическая структура более дефектна в случае использования подложек GaAs (111)A. Также показано влияние величины потока As₄ во время роста на кристаллическую структуру низкотемпературного GaAs, выращенного на разных типах подложек.

S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Whitaker, G.A. Mourou, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59 (25), 3276 (1991)
Zuzanna Liliental-Weber, W. Swider, K.M. Yu, J. Kortright, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 58 (19), 2153 (1991)
Zuzanna Liliental-Weber, H.J. Cheng, S. Gupta, J. Whitaker, K. Nichols, F.W. Smith. J. Electron. Mater., 22 (12), 1465 (1993)
M. Missous. Microelectronics J., 27, 393 (1996)
Z. Liliental-Weber, G. Cooper, R. Mariella, jr., C. Kocot. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (4), 2323 (1991)
M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83 (1), 561 (1998)
M.H. Chang, J.-W. Pan, J.-I. Chyi, K. C. Hsieh, T.-E. Nee. Appl. Phys. Lett., 72 (2), 587 (1998)
K. Mahalingam, N. Otsuka, M.R. Melloch, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (2), 812 (1991)
H. Fujioka, E.R. Weber, A.K. Verma. Appl. Phys. Lett., 66 (21), 2834 (1995)
V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Engin. B, 88 (2-3), 195 (2002)
N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tret'yakovy. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
В.В. Чалдышев, М.Я. Яговкина, М.В. Байдакова, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43 (8), 1117 (2009)
M.V. Baidakova, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.N. Nevedomsky, M.A. Yagovkina, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Acta Cryst. allogr. B, 69, 30 (2013)
M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C.L. Chang, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, A.C. Warren. Appl. Phys. Lett., 61 (2), 177 (1992)
Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, В.В. Сарайкин, Ю.В. Слепнев, Г.И. Шагимуратов, Р.М. Имамов, Э.М. Пашаев. ЖТФ, 71 (4), 47 (2001)
G. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, L. Velihovskii, V. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 17 (2), 120 (2002)
M. Kondo, C. Anayama, N. Okada, H. Sekiguchi, K. Domen, T. Tanahashi. J. Appl. Phys., 76 (2), 914 (1994)
R. Notzel, L. Daweritz, K. Ploog. Phys. Rev. B, 46 (8), 4736 (1992)
Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А.Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 932 (2015)
T. Ohachi, J.M. Feng, K. Asai, M. Uwani, M. Tateuchi, P.O. Vaccaro, K. Fujita. Microelectronics J., 30, 471 (1999)
L. Pavesi, N.H. Ky, J.D. Ganiere, F.K. Reinhart, N. Baba-Ali, I. Harrison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71, 2225 (1992)
И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач, С.Е. Торопов. ФТП, 37 (9), 1072 (2003)
H.K. Nguyen, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 718 (1998)
M.H. Zhang, Y.F. Zhang, Q. Huang, C.L. Bao, J.M. Sun, J.M. Zhou. J. Cryst. Growth, 209 (1), 37 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель