Вышедшие номера
Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
Калентьева И.Л.1, Вихрова О.В.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А.1, Кудрин А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Исследованы различные типы диэлектриков, полученных методом низкотемпературного электронно-лучевого распыления: слои Al2O3 и трехслойные композиции Al2O3/SiO2/Al2O3. Определена зависимость электрической прочности слоев Al2O3 от толщины. Установлено, что формирование трехслойного диэлектрика Al2O3/SiO2/Al2O3 позволяет увеличить диапазон рабочих напряжений до 60 В для структур с управляющим электродом. Показана возможность управления плотностью носителей (дырок) в двумерном канале проводимости GaAs-структур посредством изменения напряжения на затворе при использовании конструкции слоев Al2O3/SiO2/Al2O3 в качестве подзатворного диэлектрика.