Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
Исследованы различные типы диэлектриков, полученных методом низкотемпературного электронно-лучевого распыления: слои Al2O3 и трехслойные композиции Al2O3/SiO2/Al2O3. Определена зависимость электрической прочности слоев Al2O3 от толщины. Установлено, что формирование трехслойного диэлектрика Al2O3/SiO2/Al2O3 позволяет увеличить диапазон рабочих напряжений до 60 В для структур с управляющим электродом. Показана возможность управления плотностью носителей (дырок) в двумерном канале проводимости GaAs-структур посредством изменения напряжения на затворе при использовании конструкции слоев Al2O3/SiO2/Al2O3 в качестве подзатворного диэлектрика.
- Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах, под ред. Л.А. Асеева, В.А. Гриценко. (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2011)
- D. Shahrjerdi. III-V Channel MOS Devices with Atomic-Layer-Deposited High-k Gate Dielectrics: Interface and Carrier Transport Studies (Dissertation, University of Texas, 2008)
- T. Yoshida, T. Hashizume. Appl. Phys. Lett., 101, 122 102 (2012)
- D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno. Appl. Phys. Lett., 89, 162 505 (2006)
- Y.Q. Wu, H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk. Appl. Phys. Lett., 90, 072 105 (2007)
- С.Г. Сазонов, З.Н. Зулуев, В.Е. Дрозд, И.О. Никифорова. Письма ЖТФ, 24 (13), 58 (1998)
- S.H. Chen, W.S. Liao, H.C. Yang, S.J. Wang, Y.G. Liaw, H. Wang, H. Gu, M.C. Wang. Nanoscale Res. Lett., 7, 431 (2012)
- K.S. Shamala, L.C.S. Murthy, K. Narasimha Rao. Mater. Sci. Eng. B, 106, 269 (2004)
- V.K. Kameineni, M. Raymond, E.J. Bersch, B.B. Doris, A.C. Diebold. J. of Appl. Phys., 107, 093525 (2010)
- N. Maiti, A. Biswas, R.B. Tokas, D. Bhattacharyya, S.N. Jha, U.P. Desphandl, U.D. Barve, M.S. Bhatia, A.K. Das. Vacuum, 85, 214 (2010)
- H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk. Appl. Phys. Lett., 87, 182 904 (2005)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
