"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
Калентьева И.Л.1, Вихрова О.В.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А.1, Кудрин А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Исследованы различные типы диэлектриков, полученных методом низкотемпературного электронно-лучевого распыления: слои Al2O3 и трехслойные композиции Al2O3/SiO2/Al2O3. Определена зависимость электрической прочности слоев Al2O3 от толщины. Установлено, что формирование трехслойного диэлектрика Al2O3/SiO2/Al2O3 позволяет увеличить диапазон рабочих напряжений до 60 В для структур с управляющим электродом. Показана возможность управления плотностью носителей (дырок) в двумерном канале проводимости GaAs-структур посредством изменения напряжения на затворе при использовании конструкции слоев Al2O3/SiO2/Al2O3 в качестве подзатворного диэлектрика.
  1. Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах, под ред. Л.А. Асеева, В.А. Гриценко. (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2011)
  2. D. Shahrjerdi. III-V Channel MOS Devices with Atomic-Layer-Deposited High-k Gate Dielectrics: Interface and Carrier Transport Studies (Dissertation, University of Texas, 2008)
  3. T. Yoshida, T. Hashizume. Appl. Phys. Lett., 101, 122 102 (2012)
  4. D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno. Appl. Phys. Lett., 89, 162 505 (2006)
  5. Y.Q. Wu, H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk. Appl. Phys. Lett., 90, 072 105 (2007)
  6. С.Г. Сазонов, З.Н. Зулуев, В.Е. Дрозд, И.О. Никифорова. Письма ЖТФ, 24 (13), 58 (1998)
  7. S.H. Chen, W.S. Liao, H.C. Yang, S.J. Wang, Y.G. Liaw, H. Wang, H. Gu, M.C. Wang. Nanoscale Res. Lett., 7, 431 (2012)
  8. K.S. Shamala, L.C.S. Murthy, K. Narasimha Rao. Mater. Sci. Eng. B, 106, 269 (2004)
  9. V.K. Kameineni, M. Raymond, E.J. Bersch, B.B. Doris, A.C. Diebold. J. of Appl. Phys., 107, 093525 (2010)
  10. N. Maiti, A. Biswas, R.B. Tokas, D. Bhattacharyya, S.N. Jha, U.P. Desphandl, U.D. Barve, M.S. Bhatia, A.K. Das. Vacuum, 85, 214 (2010)
  11. H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk. Appl. Phys. Lett., 87, 182 904 (2005)
  12. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.