Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния

Мынбаев К.Д.^1,2, Заблоцкий С.В.^1,3, Шиляев А.В.¹, Баженов Н.Л.¹, Якушев М.В.⁴, Марин Д.В.⁴, Варавин В.С.⁴, Дворецкий С.А.^4,5

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

⁴Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁵Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 27 мая 2015 г.

Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование дефектов в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути с мольной долей теллурида кадмия от 0.3 до 0.4, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из кремния. С использованием метода фотолюминесценции при низких температурах в запрещенной зоне выявлены относительно глубокие уровни с энергией залегания 50-60 мэВ и более мелкие уровни с энергией 20-30 мэВ. Исследование температурной зависимости времени жизни неосновных носителей заряда показало, что это время определялось присутствием уровней с энергией залегания около 30 мэВ. Обсуждается связь выявленных энергетических состояний с дефектами кристаллической структуры.

L. Mollard, G. Bourgeois, C. Lobre, S. Gout, S. Viollet-Bosson, N. Baier, G. Destefanis, O. Gravrand, J.P. Barnes, F. Milesi. J. Electron. Mater., 43, 802 (2014)
М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, Д.В. Марин. ФТП, 48, 788 (2014)
A.M. Itsuno, P.Y. Emelie, J.D. Phillips, S. Velicu, C.H. Grein, P.S. Wijewarnasuriya. J. Electron. Mater., 39, 945 (2010)
C.L. Littler, A.J. Syllaios, V.C. Lopes. Progr. Cryst. Growth, 28, 145 (1994)
C.H. Grein, J.W. Garland, S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, M. Fuchs. J. Electron. Mater., 28, 789 (1999)
P.S. Wijewarnasuriya, M.D. Lange, S. Sivananthan, J.P. Faurie. J. Electron. Mater., 24, 545 (1995)
M.A. Kinch, F. Aqariden, D. Chandra, P.K. Liao, H.F. Schaake, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 34, 880 (2005)
D.D. Edwall, R.E. DeWames, W.V. McLevige, J.G. Pasko, J.M. Arias. J. Electron. Mater., 27, 698 (1998)
К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Якушев, Д.В. Марин, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий. Письма ЖТФ, 40, 65 (2014)
К.Д. Мынбаев, А.В. Шиляев, Н.Л. Баженов, А.И. Ижнин, И.И. Ижнин, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий. ФТП, 49, 379 (2015)
Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49, 444 (2015)
Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49, 1206 (2015)
S. Krishnamurthy, M.A. Berding, Z.G. Yu. J. Electron. Mater., 35, 1369 (2006)
S.V. Zablotsky, N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev, M.V. Yakushev, D.V. Marin, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky. Intl. School Conf. OPEN "Saint-Petersburg OPEN 2015", Book of Abstracts (St. Petersburg, Russia, 2015) p. 33
И.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев, М.В. Якушев, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, Н.Л. Баженов, А.В. Шиляев, Г.В. Савицкий, R. Jakiela, А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий. ФТП, 46, 1363 (2012)
L. Bubulac, J. Benson, R. Jacobs, A. Stoltz, M. Jaime-Vasquez, L. Almeida, A. Wang, L. Wang, R. Hellmer, T. Golding, J. Dinan, M. Carmody, P. Wijewarnasuriya, M. Lee, M. Vilela, J. Peterson, S. Johnson, D. Lofgreen, D. Rhiger. J. Electron. Mater., 40, 280 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель