"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов
Шамирзаев В.Т.1, Гайслер В.А.2,1, Шамирзаев Т.С.2,3
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: tim@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97%. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра.
  1. А. Туркин. Полупроводниковая светотехника 3, 38 (2015)
  2. A. Mogilatenko, V. Kueller, A. Knauer, J. Jeschke, U. Zeimer, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 402, 222 (2014)
  3. T. Lang, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen. J. Cryst. Growth, 298, 276 (2007)
  4. P. Fischer, J. Christen, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L129 (2000)
  5. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 2, 36, L382 (1997)
  6. P.P. Paskov, R. Schifano, T. Paskova, T. Malinauskas, J.P. Bergman, B. Monemar, S. Figge, D. Hommel. Physica B, 376--377, 473 (2006).
  7. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.A. Saranin, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev. Appl. Phys. Lett., 101, 163 501 (2012)
  8. С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин. ФТП, 31, 1146 (1997)
  9. В.Е. Кудряшов, К.Г. Золин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 31, 1304 (1997)
  10. Z. Zhong, O. Ambacher, A. Link, V. Holy, J. Stangl, R.T. Lechner, T. Roch, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 80, 3521 (2002)
  11. Р.Н. Кютт, Г.Н. Мосина, М.П. Щеглов, Л.М. Сорокин. ФТТ, 48, 1491 (2006)
  12. А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, В.П. Петров, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт. ФТП, 46, 219 (2012)
  13. Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) c. 416
  14. D. Yan, H. Lu, D. Chen, R. Zhang, Y. Zheng. Appl. Phys. Lett., 96, 083 504 (2010)
  15. В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35, 861 (2001)
  16. И.А. Прудаев, И.Ю. Голыгин, С.Б. Ширапов, И.С. Романов, С.С. Хлудков, О.П. Толбанов. ФТП, 47, 1391 (2013)
  17. Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49, 1714 (2015)
  18. J. Iveland, L. Martinelly, J. Peretti, J.S. Speck, C. Weisbuch. Phys. Rev. Lett., 110, 177 406 (2013)
  19. E.F. Schubert. Light-Emitting Diodes (Cambridge University Press, N.Y., 2003)
  20. В.В. Безотосный, В.Ю. Бондарев, О.Н. Крохин, В.А. Олещенко, В.Ф. Певцов, Ю.М. Попов, Е.А. Чешев. ФТП, 48, 114 (2014)
  21. Н.И. Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, А.В. Клочков, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 122 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.