"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), Программа фундаментальных исследований Президиума РАН ”Фундаментальные и прикладные проблемы фотоники и физика новых оптических материалов“.
Косарев А.Н.1,2, Чалдышев В.В.1,2, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Семягин Б.Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Проводились исследования фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек InAs, поверх которых был выращен слой GaAs в низкотемпературном режиме (LT-GaAs), с использованием различных разделительных слоев или без них. Под разделительными слоями подразумеваются тонкие слои GaAs или AlAs, выращенные при нормальных для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) температурах. Прямое заращивание привело к исчезновению фотолюминесценции. При использовании тонкого разделительного слоя GaAs фотолюминесценция из квантовых точек InAs частично восстановилась, но ее интенсивность оказалась на 2 порядка меньше, чем в референтном образце, в котором заращивание массива квантовых точек производилось при нормальной температуре. Использование более широкозонного AlAs в качестве материала разделительного слоя привело к усилению фотолюминесценции из квантовых точек InAs, но она все еще была более чем на порядок слабее относительно излучения референтного образца. Построена модель, учитывающая процессы генерации носителей светом, их диффузии и туннелирования из квантовых точек в слой LT-GaAs.
  1. H. Liu, T. Wang, Q. Jiang, R. Tutu, F. Pozzi, A. Seeds. Nature Photonics, 5, 416 (2011)
  2. С. Михрин, А. Жуков, А. Ковш, Н. Малеев, В. Устинов, Ю. Шерняков, И Каяндер, Е. Кондратьева, Д. Лившиц, И. Тарасов, М. Максимов, А. Цацульников, Н. Леденцов, П. Копьев, Д. Бимберг, Ж. Алфёров. ФТП, 34, 117 (2000)
  3. N. Ledentsov. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 001 (2011)
  4. J. Wu, S. Chen, A. Seeds, H. Liu. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 363 001 (2015)
  5. A. Marent, T. Nowozin, M. Geller, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 026 (2011)
  6. M. Kroutvar, Y. Ducommun, D. Heiss, M. Bichler, D. Schuh, G. Abstreiter, J.J. Finley. Nature, 81, 432 (2004)
  7. F. Ferdos, M. Sadeghi, Q.X. Zhao, S.M. Wang, A. Larsson. J. Cryst. Growth, 227, 1140 (2001)
  8. H. Liu, B. Xu, D. Ding, Y. Chen, J. Zhang, J. Wu, Z. Wang. J. Cryst. Growth, 227, 1005 (2001)
  9. V. Chaldyshev. Mater. Sci. Engin. B, 88, 195 (2002)
  10. M. Melloch, J. Woodall, E. Harmon, N. Otsuka, F. Pollak, D. Nolte, R. Feenstra, M. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  11. Н. Берт, А. Вейнгер, М. Вилисова, С. Голощапов, И. Ивонин, С. Козырев, А. Куницын, Л. Лаврентьева, Д. Лубышев, В. Преображенский, Б. Семягин, В.В. Третьяков, В. Чалдышев, М. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  12. А. Пастор, У. Прохорова, П. Сердобинцев, В. Чалдышев, М. Яговкина. ФТП, 47, 1144 (2013)
  13. D. Nolte. J. Appl. Phys., 85, 6259 (1999)
  14. L. Desplanque, J. Lampin, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 84, 2049 (2004)
  15. В. Неведомский, Н. Берт, В. Чалдышев, В. Преображенский, М. Путято, Б. Семягин. ФТП, 43, 1662 (2009)
  16. В. Неведомский, Н. Берт, В. Чалдышев, В. Преображенский, М. Путято, Б. Семягин. ФТП, 45, 1642 (2011)
  17. В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 47, 1196 (2013)
  18. H. Casey, D. Sell, K. Wecht. J. Appl. Phys., 46, 250 (1975)
  19. S. Dankowski, D. Streb, M. Ruff, P. Kiesel, M. Kneissl, B. Knupfer, G. Dohler. Appl. Phys. Lett., 68, 37 (1996)
  20. N. Bert, V. Chaldyshev, A. Kunitsyn, Yu. Musikhin, N. Faleev, V. Tretyakov, V. Preobrazhenskii, M. Putyato, B. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997)
  21. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  22. W. Van Roosbroeck. J. Appl. Phys., 26, 380 (1955)
  23. P.W.M. Blom, C. Smit, J.E.M. Haverkort, J. Wolter. Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993)
  24. P. Loukakos, C. Kalpouzos, I. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Sfendourakis, G. Kostantinidis, C. Fotakis. J. Appl. Phys., 91, 9863 (2002)
  25. D. Aspnes. Surf. Sci., 132, 406 (1983)
  26. L. Kong, Z. Wu, Z.C. Feng, I.T. Ferguson. J. Appl. Phys., 101, 126 101 (2007)
  27. F. Ferdos, S. Wang, Y. Wei, A. Larsson, M. Sadeghi, Q. Zhao. Appl. Phys. Lett., 81, 1195 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.