"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
Штром И.В.1,2,3, Буравлев А.Д.1,2,3, Самсоненко Ю.Б.2,3,4, Хребтов А.И.2,4, Сошников И.П.1,2,3, Резник Р.Р.2,4,5, Цырлин Г.Э.2,3,4, Dhaka V.6, Perros A.6, Lipsanen H.6
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
6Aalto University, F Espoo, Finland
Email: igorstrohm@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Продемонстрировано, что молекулярное наслаивание тонких слоев AlN может быть использовано для пассивации поверхностных состояний GaAs нитевидных нанокристаллов, синтезированных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование оптических свойств образцов методом низкотемпературной фотолюминесценции показало, что интенсивность сигнала фотолюминесценции может быть увеличена вплоть до 5 раз при пассивации нитевидных нанокристаллов слоем AlN с толщиной 25 Angstrem.
  1. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  2. Б.И. Бедный. СОЖ, 7, 114 (1998)
  3. V. Dhaka, A. Perros, S. Naureen, N. Shahid, H. Jiang, J.-P. Kakko, T. Haggren, E. Kauppinen, A. Srinivasan, H. Lipsanen. AIP Advances, 6, 015 016 (2016)
  4. P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, V.P. Ulin, T.V. Lvova, D.O. Filatov, A.V. Nezhdanov, A.I. Mashin, V.L. Berkovits. Nano Lett., 15, 63 (2015)
  5. N. Tajik, C.M. Haapamaki, R.R. LaPierre. Nanotechnology, 23, 315 703 (2012)
  6. M. Mattila, T. Hakkarainen, H. Lipsanen, H. Jiang, E.I. Kauppinen. Appl. Phys. Lett., 90, 033 101 (2007)
  7. A.V. Senichev, V.G. Talalaev, I.V. Shtrom, H. Blumtritt, G.E. Cirlin, J. Schilling, Ch.P. Werner. ACS Photonics, 1 (11), 1099 (2014)
  8. L.V. Titova, Th.B. Hoang, H.E. Jackson, L.M. Smith, J.M. Yarrison-Rice, H.J. Joyce, H.H. Tan, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 89, 173 126 (2006)
  9. V. Dhaka, J. Oksanen, H. Jiang, T. Haggren, A. Nykanen, R. Sanatinia, J.-P. Kakko, T. Huhtio, M. Mattila, J. Ruokolainen, S. Anand, E. Kauppinen, H. Lipsanen. Nano Lett., 13, 3581 (2013)
  10. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3, 112 (2009)
  11. V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Shtrom, V.G. Talalaev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii. Phys. Status Solidi RRL, 4, 175 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.