"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
Коряжкина М.Н.1, Тихов С.В.1, Горшков О.Н.1, Касаткин А.П.1, Антонов И.Н.1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Показано, что формирование наночастиц Au на границе раздела диэлектрик/кремний в структурах с высокой плотностью поверхностных состояний приводит к смещению энергии закрепления уровня Ферми на этой границе раздела к потолку валентной зоны кремния и увеличению плотности поверхностных состояний при энергиях, близких к уровню Ферми. На кривых фоточувствительности конденсаторной фотоэдс при этом появляется полоса с максимумом при 0.85 эВ, которая объясняется фотоэмиссией электронов и состояний, примыкающих к потолку валентной зоны кремния и образованных наночастиц Au.
  1. О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, Д.О. Филатов, М.Е. Шенина, А.П. Касаткин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров. Письма в ЖТФ, 42 (1), 72 (2016)
  2. S.K. Ray, S. Maikap, W. Banerjee, S. Das. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 153 001-1 (2013)
  3. M. Uenuma, K. Kawano, B. Zheng, N. Okamoto, M. Horita, S. Yoshii, I. Yamashita, Y. Uraoka. Nanotechnology, 22, 215 201 (2011)
  4. W. Guan, S. Long, R. Jia, M. Liua. Appl. Phys. Lett., 91, 062 111 (2007)
  5. С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина. Письма ЖТФ, 40 (19), 18 (2014)
  6. A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.V. Guseinov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, D.V. Efimovykh, S.V. Tikhov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, D.A. Pavlov, E.G. Gryaznov, A.P. Yatmanov. Mater. Sci. Eng. B, 194, 48 (2015)
  7. С.В. Тихов, О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, И.Н. Антонов, А.И. Бобров, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина, М.Е. Шенина. Письма в ЖТФ, 40 (9), 9 (2014)
  8. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука: Cиб. отд-ние, 1984)
  9. С.В. Тихов. ФТП, 29 (4), 742 (1995)
  10. И.А. Карпович, Д.О. Филатов. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетеронаноструктур (Нижний Новгород, Изд-во Нижегородского ГУ, 2010)
  11. В.А. Зуев, А.В. Саченко, И.Б. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Сов. pадио, 1977)
  12. C.B. Тихов, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, И.Н. Антонов, М.Н. Коряжкина. Тез. докл. XIX Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2015) т. 2, с. 665
  13. В.А. Киселев. ФТТ, 31 (12), 142 (1989)
  14. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука: Ленингр. отд-ние, 1981)
  15. G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
  16. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)
  17. C.З. Зейнабидинов, О.О. Маматкаримова, И.Г. Турсунов, У.А. Туйчиев. ФТП, 34 (6), 641 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.