"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
Данильцев В.М.1, Демидов Е.В.1, Дроздов М.Н.1,2, Дроздов Ю.Н.1,2, Краев С.А.1, Суровегина Е.А.1, Шашкин В.И.1,2, Юнин П.А.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: drozdyu@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~1021 см-3 без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2·1019 см-3) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7·10-6 Ом·см2) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2·1020 см-3.
  1. A.K. Baraskar, M.A. Wistey, V. Jain, U. Singisetti, G. Burek, B.J. Thibeault, Y.J. Lee, A.C. Gossard, M.J.W. Rodwell. J. Vac. Sci. Technol. B, 27, 2036 (2009)
  2. G. Stareev, H. Kunzer, G. Dorfman. J. Appl. Phys., 74, 7344 (1993)
  3. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41, 1281 (2007)
  4. D.T.J. Hurle. J. Appl. Phys., 107, 121 301 (2010)
  5. B. Paquette, B. Ilahi, V. Aimez, R. Ares. J. Cryst. Growth, 383, 30 (2013)
  6. J. Park, P.A. Barnes, M.L. Lovejoy. Appl. Phys. Lett., 67 (7), 968 (1995)
  7. M. Kamp, G. Morsch, J. Graber, H. Luth. J. Appl. Phys., 76, 1974 (1994)
  8. B. Galiana, I. Rey-Stolle, C. Algora, I. Garci a. J. Appl. Phys., 104, 114 906 (2008)
  9. I. Garsia, I. Rey-Stolle, B. Galiana, C. Algora. J. Cryst. Growth, 298, 794 (2007)
  10. J.B. Mullin, B.W. Straughan, C.M.H. Driscoll, A.F.W. Willoughby. J. Appl. Phys., 47, 2584 (1976)
  11. Современная кристаллография. Т. 2. Структура кристаллов / Б.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Инденбом (М., Наука, 1979)
  12. D.T.J. Hurle. J. Appl. Phys., 85, 6957 (1999)
  13. Y. Oyama, P. Plotka, F. Matsumoto, T. Kurabayashi, T. Hamano, H. Kikuchi, J. Nishizawa. J. Electrochem. Soc., 146 (1), 131 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.