Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~10²¹ см^-3 без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2·10¹⁹ см^-3) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7·10^-6 Ом·см²) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2·10²⁰ см^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.