Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/p-InSe

Орлецкий И.Г.¹, Илащук М.И.¹, Брус В.В.¹, Марьянчук П.Д.¹, Солован М.М.¹, Ковалюк З.Д.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine

Email: i.orletskyi@chnu.edu.ua

Поступила в редакцию: 13 июля 2015 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

PDF версия

Исследованы условия изготовления фоточувствительных гетеропереходов TiN/p-InSe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок нитрида титана на свежесколотые монокристаллические пластины p-InSe. На основе анализа вольт-амперных характеристик установлено присутствие на гетеропереходе туннельно-тонкого высокоомного слоя In₂Se₃ и выяснено его влияние на электрические свойства и спектральные зависимости фоточувствительности исследованых гетероструктур. Определены основные механизмы формирования прямого и обратного токов сквозь энергетический баръер TiN/p-InSe.

З.Д. Ковалюк, О.Н. Сидор. В.Н. Катеринчук, В.В. Нетяга. ФТП, 41, 1074 (2007)
J. Martnez-Pastor, A. Segura, J.L. Valdes. J. Appl. Phys., 62, 1477 (1987)
С.И. Драпак, Н.С. Юрценюк, З.Д. Ковалюк. ЖТФ, 79, 71 (2009)
С.И. Драпак, В.В. Нетяга, З.Д. Ковалюк. Письма ЖТФ, 28, 9 (2002)
В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, В.В. Хомяк, И.Г. Орлецкий, В.В. Нетяга. ФТП, 47, 935 (2013)
В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. ФТП, 44, 1212 (2010)
З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, Н.Д. Раранский. ФТП, 40, 926 (2006)
M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, N. Nickel, S.L. Abashin. Semicond. Sci. Technol., 29, 015 007 (2014)
M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, S.L. Abashin, Z.D. Kovalyuk. Semicond. Sci. Technol., 30, 075 006 (2015)
М.Н. Солован, В.В. Брус, Э.В. Майструк, П.Д. Марьянчук. Неорг. матер., 50, 46 (2014)
С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, В.Б. Орлецкий. Письма ЖТФ, 28, 1 (2002)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.В. Калашников. Физика полупроводников: учеб. пособие [для студентов физических специальностей вузов] / В.Л. Бонч-Бруевич, С.В. Калашников (М., Наука, 1977)
В.П. Махний, А.И. Янчук. ФТП, 37, 1435 (2003)
С.И. Драпак, В.Б. Орлецкий, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, В.Д. Фотий. Письма ЖТФ, 29, 86 (2003)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник, пер. с англ. под ред. В.С. Вавилова (М., Мир, 1975)
S. Shigetomi, H. Ohkubo, T. Ikari. J. Phys. Chem. Solids, 51, 91 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель