Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn

DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43885.31

Тимофеев В.А.¹, Никифоров А.И.^1,2, Туктамышев А.Р.¹, Есин М.Ю.¹, Машанов В.И.¹, Гутаковский А.К.¹, Байдакова Н.А.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: Vyacheslav.t@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

PDF версия

Изучены температурные и композиционные зависимости критической толщины 2D-3D перехода для пленки GeSiSn на поверхности Si(100). Впервые исследованы закономерности формирования многослойных структур, содержащих псевдоморфные слои GeSiSn непосредственно на Si без релаксированных буферных слоев. Методом просвечивающей электронной микроскопии показана возможность создания многослойных структур на основе псевдоморфных пленок GeSiSn и определены параметры кристаллической решетки. Выращенные структуры продемонстрировали фотолюминесценцию для содержания Sn в слоях GeSiSn от 3.5 до 5%.

B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo. Microelect. Eng., 88, 342 (2011)
B.R. Conley, H. Naseem, G. Sun, P. Sharps, Shui-Qing Yu. 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Austin, Texas, 2012) p. 001189
M. Oehme, M. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, D. Widmann, E. Kasper, J. Schulze. Appl. Phys. Lett., 101, 141110 (2012)
S. Gupta, Y.-Ch. Huang, Y. Kim, E. Sanchez, K.C. Saraswat. IEEE Electron Dev. Lett., 34, 831 (2013)
R. Chen, S. Gupta, Y.-Ch. Huang, Y. Huo, C.W. Rudy, E. Sanchez, Y. Kim, T.I. Kamins, K.C. Saraswat, J.S. Harris. Nano Lett., 14, 37 (2014).
S. Wirths, D. Stange, M.-A. Pampillon, A.T. Tiedemann, G. Mussler, A. Fox, U. Breuer, B. Baert, E. San Andres, N.D. Nguyen, J.-M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Mantl, D. Buca. ACS Appl. Mater. Interfaces, 7, 62 (2015)
K. Kostecki, M. Oehme, R. Koerner, D. Widmann, M. Gollhofer, S. Bechler, G. Mussler, D. Buca, E. Kasper, J. Schulze. ECS Trans., 64, 811 (2014)
S. Oguz, W. Paul, T.F. Deutsch, B-Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
J. Xie, A.V.G. Chizmeshya, J. Tolle, V.R. D'Costa, J. Menendez, J. Kouvetakis. Chem. Mater., 22, 3779 (2010)
S. Wirths, Z. Ikonic, A.T. Tiedemann, B. Hollander, T. Stoica, G. Mussler, U. Breuer, J.M. Hartmann, A. Benedetti, S. Chiussi, D. Grutzmacher, S. Mantl, D. Buca. Appl. Phys. Lett., 103, 192 110 (2013)
V. Mashanov, V. Ulyanov, V. Timofeev, A. Nikiforov, O. Pchelyakov, Ing-Song Yu, Henry Cheng. Nanoscale Res. Lett., 6, 85 (2011)
A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky. Cent. Eur. J. Phys., 6, 634 (2008)
A.I. Nikiforov, V.I. Mashanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov, H.-H. Cheng. Thin Sol. Films, 557, 188 (2014)
A. Harwit, P. Pukite, J. Angilello, S. Iyer. Thin Sol. Films, 184, 395 (1990)
J. Tolle, A. Chizmeshya, Y. Fang, J. Kouvetakis, V. D'Costa, C. Hu, J. Menendez, I. Tsong. Appl. Phys. Lett., 89, 231 924 (2006)
R.R. Lieten, J.W. Seo, S. Decoster, A. Vantomme, S. Peters, K.C. Bustillo, E.E. Haller, M. Menghini, J.P. Locquet. Appl. Phys. Lett., 102, 052 106 (2013)
M. Oehme, K. Kostecki, M. Schmid, F. Oliveira, E. Kasper, J. Schulze. Thin Sol. Films, 557, 169 (2014)
J. Xie, J. Tolle, V. D'Costa, A. Chizmeshya, J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 95, 181 909 (2009)
A.K. Gutakovskii, A.L. Chuvilin, S.A. Song. Bull. Rus. Acad. Sci., ser. Зhys., 71, 1426 (2007)
T. Tsukamoto, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, Y. Suda. Appl. Phys. Lett., 106, 052 103 (2015)
K. Ueda, K. Kinoshita. Surf. Sci., 145, 261 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель