"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
Тимофеев В.А.1, Никифоров А.И.1,2, Туктамышев А.Р.1, Есин М.Ю.1, Машанов В.И.1, Гутаковский А.К.1, Байдакова Н.А.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: Vyacheslav.t@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Изучены температурные и композиционные зависимости критической толщины 2D-3D перехода для пленки GeSiSn на поверхности Si(100). Впервые исследованы закономерности формирования многослойных структур, содержащих псевдоморфные слои GeSiSn непосредственно на Si без релаксированных буферных слоев. Методом просвечивающей электронной микроскопии показана возможность создания многослойных структур на основе псевдоморфных пленок GeSiSn и определены параметры кристаллической решетки. Выращенные структуры продемонстрировали фотолюминесценцию для содержания Sn в слоях GeSiSn от 3.5 до 5%.
  1. B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo. Microelect. Eng., 88, 342 (2011)
  2. B.R. Conley, H. Naseem, G. Sun, P. Sharps, Shui-Qing Yu. 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Austin, Texas, 2012) p. 001189
  3. M. Oehme, M. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, D. Widmann, E. Kasper, J. Schulze. Appl. Phys. Lett., 101, 141110 (2012)
  4. S. Gupta, Y.-Ch. Huang, Y. Kim, E. Sanchez, K.C. Saraswat. IEEE Electron Dev. Lett., 34, 831 (2013)
  5. R. Chen, S. Gupta, Y.-Ch. Huang, Y. Huo, C.W. Rudy, E. Sanchez, Y. Kim, T.I. Kamins, K.C. Saraswat, J.S. Harris. Nano Lett., 14, 37 (2014).
  6. S. Wirths, D. Stange, M.-A. Pampillon, A.T. Tiedemann, G. Mussler, A. Fox, U. Breuer, B. Baert, E. San Andres, N.D. Nguyen, J.-M. Hartmann, Z. Ikonic, S. Mantl, D. Buca. ACS Appl. Mater. Interfaces, 7, 62 (2015)
  7. K. Kostecki, M. Oehme, R. Koerner, D. Widmann, M. Gollhofer, S. Bechler, G. Mussler, D. Buca, E. Kasper, J. Schulze. ECS Trans., 64, 811 (2014)
  8. S. Oguz, W. Paul, T.F. Deutsch, B-Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
  9. J. Xie, A.V.G. Chizmeshya, J. Tolle, V.R. D'Costa, J. Menendez, J. Kouvetakis. Chem. Mater., 22, 3779 (2010)
  10. S. Wirths, Z. Ikonic, A.T. Tiedemann, B. Hollander, T. Stoica, G. Mussler, U. Breuer, J.M. Hartmann, A. Benedetti, S. Chiussi, D. Grutzmacher, S. Mantl, D. Buca. Appl. Phys. Lett., 103, 192 110 (2013)
  11. V. Mashanov, V. Ulyanov, V. Timofeev, A. Nikiforov, O. Pchelyakov, Ing-Song Yu, Henry Cheng. Nanoscale Res. Lett., 6, 85 (2011)
  12. A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky. Cent. Eur. J. Phys., 6, 634 (2008)
  13. A.I. Nikiforov, V.I. Mashanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov, H.-H. Cheng. Thin Sol. Films, 557, 188 (2014)
  14. A. Harwit, P. Pukite, J. Angilello, S. Iyer. Thin Sol. Films, 184, 395 (1990)
  15. J. Tolle, A. Chizmeshya, Y. Fang, J. Kouvetakis, V. D'Costa, C. Hu, J. Menendez, I. Tsong. Appl. Phys. Lett., 89, 231 924 (2006)
  16. R.R. Lieten, J.W. Seo, S. Decoster, A. Vantomme, S. Peters, K.C. Bustillo, E.E. Haller, M. Menghini, J.P. Locquet. Appl. Phys. Lett., 102, 052 106 (2013)
  17. M. Oehme, K. Kostecki, M. Schmid, F. Oliveira, E. Kasper, J. Schulze. Thin Sol. Films, 557, 169 (2014)
  18. J. Xie, J. Tolle, V. D'Costa, A. Chizmeshya, J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 95, 181 909 (2009)
  19. A.K. Gutakovskii, A.L. Chuvilin, S.A. Song. Bull. Rus. Acad. Sci., ser. Зhys., 71, 1426 (2007)
  20. T. Tsukamoto, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, Y. Suda. Appl. Phys. Lett., 106, 052 103 (2015)
  21. K. Ueda, K. Kinoshita. Surf. Sci., 145, 261 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.