"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя n-GaAs
Тихов С.В.1, Горшков О.Н.1, Коряжкина М.Н.1, Касаткин А.П.1, Антонов И.Н.1, Вихрова О.В.1, Морозов А.И.1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Изучены свойства МДП-структур на основе n-GaAs, в которых в качестве диэлектрика использованы оксид кремния и стабилизированные оксидом иттрия диоксид циркония и диоксид гафния, и которые содержали квантовые точки InAs, встроенные на границе раздела диэлектрик/n-GaAs. Структуры проявляли резистивное переключение и синаптическое поведение
  1. J.S. Lee, S. Lee, T.W. Noh. Appl. Phys. Rev., 2, 031 303 (2015)
  2. A. Adamatzky, L. Chua. Memristor Networks. Ed. (Springer International Publishing Switzerland, 2014)
  3. W. Cai, R. Tetzlaff. In: Memristor Networks., eds A. AdamatzKy, L. Chua Springer International Publishing Switzerland, 2014) P. 113
  4. A. Bogusz, D. Blaschke, B. Abendroth, I. Skorupa, D. Burger, O.G. Schmidt, H. Schmidt. 80. Jahrestagung der DPG und DPG-Fruhjahrstagung. Regensburg, 6.--11. Marz 2016 (A. Bogusz et al., AIP Advances 4 (2014), A. Bogusz et al., Adv. Mater. Res. 1101 (2015).)
  5. С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина. Письма в ЖТФ, 40 (19), 18 (2014)
  6. С.В. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин. Письма ЖТФ, 42 (10), 78 (2016)
  7. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  8. С.В. Тихов. ФТП, 46 (10), 1297 (2012)
  9. Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35 (1), 92 (2001)
  10. Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 31 (9) 1100 (1997)
  11. С.В. Тихов. ФТП, 29 (4), 742 (1995)
  12. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
  13. S. Kundu, N.N. Halder, D. Biswas, P. Banerji, T. Shripathi, S. Chakraborty. J. Appl. Phys., 112, 034514-1 (2012)
  14. J. Robertson, Y. Guo, L. Lin. J. Appl. Phys., 117, 112 806 (2015)
  15. D. Kuzum, S. Yu, H. Wong. Nanotechnology, 24, 382 001 (2013)
  16. A. Thomas. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 093 001 (2013)
  17. A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.V. Guseinov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, D.V. Efimovykh, S.V. Tikhov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, D.A. Pavlov, E.G. Gryaznov, A.P. Yatmanov. Mater. Sci. Eng. B, 194, 48 (2015)
  18. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука: Сиб. отд-ние, 1984)
  19. Т.И. Данилина. Технология тонкопленочных микросхем (Томск, ТУСУР 2006)
  20. B.A. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов. Диэлектрики в наноэлектронике (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2010)
  21. G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89 (10), 5243 (2001)
  22. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука: Ленингр. отд., 1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.