"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
Оболенская Е.С.1, Тарасова Е.А.1, Чурин А.Ю.1, Оболенский С.В.1, Козлов В.А.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: bess009@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Теоретически исследована генерация СВЧ сигнала в планарных диодах Ганна с двумерным электронным газом, в которых ранее нами исследовался стационарный транспорт электронов. Рассмотрены возможности использования управляющего электрода, аналогичного затвору полевого транзистора, для управления параметрами выходного СВЧ сигнала диода. Проведено сравнение результатов физико-топологического моделирования для полупроводниковых структур с различной конструкцией активной области диодов - без квантовой ямы, с одной и двумя квантовыми ямами, разделенными потенциальным барьером. Результаты расчетов сопоставлены с полученными нами ранее экспериментальными данными по регистрации ганновской генерации в полевом транзисторе с затвором Шоттки. Теоретически и экспериментально показано, что мощность сигнала, генерируемого планарным диодом Ганна с квантовой ямой и управляющим электродом, достаточна для реализации монолитных интегральных схем (МИС) различного функционального назначения. Теоретически и экспериментально показано, что благодаря использованию управляющего электрода за счет введения корректирующей обратной связи возможно значительное увеличение радиационной стойкости СВЧ генератора полевых транзисторов с затвором Шоттки.
  1. A. Khalid, N.J. Pilgrim, G.M. Dunn et al. IEEE Electron. Dev. Lett., 28 (10), 849 (2007)
  2. Е.С. Оболенская, Е.А. Тарасова, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский, В.И. Шашкин, А.В. Мурель. ФТП, 29 (11), 1507 (2015)
  3. Д.И. Дюков, А.В. Баев, А.Н. Качемцев и др. Тр. XV отраслевого координационного семинара по СВЧ технике (Нижний Новгород, Россия, 2007) с. 79
  4. М.А. Китаев, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 3, 1 (2001)
  5. Е.А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Д.И. Дюков. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
  6. С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 31 (2003)
  7. Е.А. Тарасова, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, Ю.Н. Свешников, В.И. Егоркин, В.А. Иванов, Г.В. Медведев, Д.С. Смотрин. ФТП, 50 (3), 331 (2016)
  8. М. Шур. Перспективные приборы на основе GaAs (М., Мир, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.