"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
Тарасова Е.А.1, Оболенская Е.С.1, Хананова А.В.1, Оболенский С.В.1, Земляков В.Е.2, Егоркин В.И.2, Неженцев А.В.1, Сахаров А.В.3, Цацульников А.Ф.3, Лундин В.В.3, Заварин Е.Е.3, Медведев Г.В.4
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ОАО "НПП Салют", Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Проведены исследования чувствительности параметров классических n+/n- GaAs и AlGaN/GaN структур с двумерным электронным газом (НЕМТ) и полевых транзисторов на их основе к gamma-нейтронному воздействию. Определены уровни их радиационной стойкости. Развит метод экспериментального исследования структур на основе дифференциального анализа вольт-фарадных характеристик, позволяющий определять слои структуры, в которых накапливаются радиационные дефекты. Впервые предложена методика, позволяющая учесть изменение площади обкладок измеряемой емкости барьерного контакта, связанной с возникновением кластеров радиационных дефектов, формирующих диэлектрические включения в слое двумерного электронного газа.
  1. Н.В. Басаргина, И.В. Ворожцова, С.М. Дубровских и др. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 1 (3), 61 (2013)
  2. Д.В. Громов, Ю.А. Матвеев, Ю.В. Федоров. Нано- и микросистемная техника, 5, 39 (2011)
  3. Е.А. Тарасова, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, Ю.Н. Свешников, В.И. Егоркин, В.А. Иванов, Г.В. Медведев, Д.С. Смотрин. ФТП, 50 (3), 331 (2016)
  4. Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 35 (5), 371 (2006)
  5. R. Adair. Rev. Mod. Phys., 2, 249 (1980)
  6. Физика быстрых нейтронов, под ред. Дж. Мариона, Дж. Фаулера (М., Атомиздат, 1966)
  7. И.С. Григорьев, Е.З. Мейлихов. Физические величины (М., Энергоатомиздат, 1991)
  8. С.В. Оболенский. Изв. вузов: Электроника, 6, 31 (2003)
  9. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.