"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
Российский научный фонд, 16-12-10317
Бовкун Л.С.1, Криштопенко С.С.1,2, Иконников А.В.1,3, Алешкин В.Я.1,3, Кадыков А.М.1,2, Ruffenach S.2, Consejo C.2, Teppe F.2, Knap W.2, Orlita M.4, Piot B.4, Potemski M.4, Михайлов Н.Н.5,6, Дворецкий С.А.5,6, Гавриленко В.И.1,3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Laboratoire Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS & UM, Montpellier, France
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France
5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: bovkun@ipmras.ru, ds_a-teens@mail.ru, antikon@ipmras.ru, aleshkin@ipmras.ru, kadykov@ipmras.ru, gavr@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Исследованы спектры магнитопоглощения в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe с нормальным и инвертированным зонным спектром. На основе модели Кейна 8·8 рассчитаны уровни Ландау в симметричных квантовых ямах с прямоугольным профилем потенциала. Показано, что наличие туннельно-прозрачного барьера приводит к расщеплению состояний и "удвоению" основных линий магнитопоглощения. При ширине ям, близкой к критической, для структуры с одиночной квантовой ямой показаны наличие инверсии зон и возникновение бесщелевой зонной структуры, как в двухслойном графене. Обнаружен сдвиг линий магнитопоглощения при изменении концентрации носителей за счет эффекта остаточной фотопроводимости, связываемый с изменением профиля потенциала при перезарядке ловушек, что открывает возможность управления топологическими фазовыми переходами в таких структурах.
  1. M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
  2. Y.S. Gui, C.R. Becker, N. Dai, J. Liu, Z.J. Qiu, E.G. Novik, M. Schafer, X.Z. Shu, J.H. Chu, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 70, 115 328 (2004)
  3. К.Е. Спирин, А.В. Иконников, А.А. Ластовкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. Письма ЖЭТФ, 92, 65 (2010)
  4. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Д.А. Козлов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. Письма ЖЭТФ, 87, 588 (2008)
  5. G.M. Gusev, E.B. Olshanetsky, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, J.C. Portal. Phys. Rev. Lett., 104, 166 401 (2010)
  6. C. Brune, C.X. Liu, E.G. Novik, E.M. Hankiewicz, H. Buhmann, Y.L. Chen, X.L. Qi, Z.X. Shen, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 106, 126 803 (2011)
  7. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Science, 314, 1757 (2006)
  8. T. Ohta, A. Bostwick, T. Seyller, K. Horn, E. Rotenberg. Science, 313, 951 (2006)
  9. P. Michetti, J.C. Budich, E.G. Novik, P. Recher. Phys. Rev. B, 85, 125 309 (2012)
  10. P. Michetti, B. Trauzettel. Appl. Phys. Lett., 102, 063 503 (2013)
  11. J.C. Budich, B. Trauzettel, P. Michetti. Phys. Rev. Lett., 112, 146 405 (2014)
  12. S.S. Krishtopenko. Тр. XIX Междунар. симп. Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 2015 (Нижний Новгород, Изд-во Нижегородского гос. ун-та им. Н.И. Лобачевского, 2015) т. 2, с. 545
  13. S.S. Krishtopenko, W. Knap, F. Teppe. arXiv:1604.02423v2
  14. A.V. Ikonnikov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, A.A. Lastovkin, K.V. Maremyanin, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 011 (2011)
  15. E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035 321 (2005)
  16. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnol., 3, 120 (2006)
  17. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39, 918 (2010)
  18. В.Я. Алешкин, Д.Б. Векслер, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.В. Иконников, Д.В .Козлов, О.А. Кузнецов. ФТТ, 46, 131 (2004)
  19. O. Drachenko, D.V. Kozlov, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, K.V. Maremyanin, A.V. Ikonnikov, B.N. Zvonkov, M. Goiran, J. Leotin, G. Fasching, S. Winnerl, H. Schneider, J. Wosnitza, M. Helm. Phys. Rev. B, 79, 073 301 (2009)
  20. В.И. Гавриленко, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, К.Е. Спирин, Л.С. Бовкун, M. Orlita, F. Teppe, W. Knap, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. Тез. докл. XII Росс. конф. по физике полупроводников, Ершово, 2015 (М., Изд-во ФИАН, ISBN 978-5-902622-31-4), с. 88
  21. S.A. Tarasenko, M.V. Durnev, M.O. Nestoklon, E.L. Ivchenko, Jun-Wei Luo, Alex Zunger. Phys. Rev. B, 91, 081 302(R) (2015)
  22. M. Zholudev, F. Teppe, M. Orlita, C. Consejo, J. Torres, N. Dyakonova, M. Czapkiewicz, J. Wrobel, G. Grabecki, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, A. Ikonnikov, K. Spirin, V. Aleshkin, V. Gavrilenko, W. Knap. Phys. Rev. B, 86, 205 420 (2012)
  23. M.S. Zholudev, A.V. Ikonnikov, F. Teppe, M. Orlita, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, W. Knap, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mihailov. Nanoscale Res. Lett., 7, 534 (2012)
  24. В.В. Платонов, Ю.Б. Кудасов, И.В. Макаров, Д.А. Маслов, О.М. Сурдин, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, В.И. Гавриленко, Н.Н. Михайлов, C.А. Дворецкий. ФТП, 49, 1660 (2015)
  25. M. Orlita, K. Masztalerz, C. Faugeras, M. Potemski, E.G. Novik, C. Brune, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 83, 115 307 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.