"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
Планкина С.М. 1, Вихрова О.В.2, Данилов Ю.А.1, Звонков Б.Н.2, Коннова Н.Ю.1, Нежданов А.В.1, Пашенькин И.Ю.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: plankina@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Методом сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована кристаллическая структура GaAs, облученного ионами Mn+ с последующим импульсным лазерным отжигом. Сканирование поперечного скола образцов показало, что в результате лазерного отжига она полностью восстанавливается на всю глубину имплантации. Обнаружено рассеяние на связанной фонон-плазмонной моде, свидетельствующее об электрической активации примеси при дозах марганца выше 1·1016 см-2. На примере данных исследований продемонстрированы возможности метода сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света при исследовании поперечного скола структур, а на тестовом образце c delta-слоем углерода установлено, что латеральное разрешение метода составляет 300 нм.
  1. В.В. Стрельчук, В.П. Кладько, Е.А. Авраменко, А.Ф. Коломыс, Н.В. Сафрюк, Р.В. Конакова, Б.С. Явич, М.Я. Валах, В.Ф. Мачулин, А.Е. Беляев. ФТП, 44, 1236 (2010)
  2. R.M.B. Agaiby, S.H. Olsen, P. Dobrosz, H. Coulson, S.J. Bull, A.G. O'Neill. J. Appl. Phys., 104 (1), 013 507 (2008)
  3. R. Srnanek, J. Geurts, M. Lentze, G. Irmer, D. Donoval, P. Brdecka, P. Kordos, A. Forster, B. Sciana, D. Radziewicz, M. Tlaczala. Appl. Surf. Sci., 230 (1--4), 379 (2004)
  4. N.J. Everall. Appl. Spectroscopy, 54 (10), 1515 (2000)
  5. В.А. Володин. Письма ЖЭТФ, 89 (8), 483 (2009)
  6. В.А. Володин. ФТТ, 53, 377 (2011)
  7. Л. Новотный, Б. Хехт. Основы нанооптики (М., Физматлит, 2009)
  8. А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  9. J.F. Ziegler. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 219/220, 1027 (2004)
  10. W. Limmer, M. Glunk, S. Mascheck, A. Koeder, D. Klarer, W. Schoch, K. Thonke, R. Sauer, A. Waag. Phys. Rev. B, 66, 205 209 (2002)
  11. F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. In: Handbook of Magnetic Materials, ed. K.H.J. Buschow (Elsevier, Amsterdam, 2002) v. 14, p. 1--87
  12. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. ФТП, 46, 1527 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.