"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца
Садовников С.И.1, Кожевникова Н.С.1, Ремпель А.А.1
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 10 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Методом рентгеновской дифракции изучена кристаллическая структура пленок сульфида свинца (PbS), полученных химическим осаждением на стеклянную подложку. Толщина синтезированных пленок ~120 нм, размер областей когерентного рассеяния ~(70-80) нм, величина микронапряжения ~0.20%. Установлено, что синтезированные пленки PbS и те же пленки, отожженные в интервале температур 293--423 K, имеют кубическую (пр. гр. Fm3m) кристаллическую структуру D03, отличающуюся от структуры B1, характерной для крупнозернистого PbS. В кубической структуре нанопленок PbS реализуется скрытое нестехиометрическое распределение атомов S и вакансий по октаэдрическим позициям 4( b) и тетраэдрическим позициям 8( c). В диапазоне длин волн 200--3270 нм измерено оптическое пропускание нанокристаллических пленок PbS. Наиболее заметное изменение пропускания наблюдается в области длин волн от 700--800 до 1600--2000 нм (энергии фотонов от ~1.8 до ~0.7 эВ). Установлено, что ширина запрещенной зоны составляет 0.83--0.85 эВ, т. е. больше ширины зоны монокристаллического PbS, равной 0.41 эВ.
  1. W.W. Scanlon. J. Phys. Chem. Sol., 8, 423 (1959)
  2. R.B. Schoolar, J.R. Dixon. Phys. Rev. A, 137 (2), 667 (1965).
  3. J.N. Zemmel, J.D. Jensen, R.B. Schoolar. Phys. Rev. A, 140 (1), 330 (1965)
  4. S.B. Qadri, A. Singh, M. Yousuf. Thin Sol. Films, 431-- 432, 506 (2003)
  5. С.И. Садовников, А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Письма ЖЭТФ, 89 (5), 279 (2009)
  6. С.И. Садовников, А.А. Ремпель. Докл. АН, 428 (1), 48 (2009)
  7. С.И. Садовников, Н.С. Кожевникова, А.А. Ремпель. Физика и химия стекла, 35 (1), 74 (2009)
  8. R.W. Morton, D.E. Simon, J.J. Gislason, S. Taylor. Adv. X-ray Anal., 46 (1), 80 (2003)
  9. X'Pert Plus Version 1.0. Program for Crystallography and Rietveld Analysis. Philips Analytical B.V. Koninklijke Philips Electronic N.V.
  10. Д.А. Давыдов, А.И. Гусев. Письма ЖЭТФ, 91 (6), 293 (2010)
  11. Д.А. Давыдов, А.И. Гусев. ЖЭТФ, 135 (2), 301 (2009)
  12. W.H. Hall, G.K. Williamson. Proc. Phys. Soc. (London) B, 64 (383), 937 (1951)
  13. G.K. Williamson, W.H. Hall. Acta Metal., 1 (1), 22 (1953)
  14. J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors, 2nd edn (N.Y., Dover Publ., 1975)
  15. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников, 2-е изд. (М., Наука, 1990)
  16. C.F. Klingshirn. Semiconductor Optics (N.Y., Springer, 2005)
  17. Y. Wang, A. Suna, W. Mahier, R. Kasowski. J. Chem. Phys., 87 (12), 7315 (1987)
  18. A. Sashchiuk, E. Lifshitz, R. Reisfeld, T. Saraidarov, M. Zelner, A. Willenz. J. Sol-Gel Sci. Technol., 24 (1), 31 (2002)
  19. R.J. Elliot. Phys. Rev., 108 (6), 1384 (1957)
  20. M.R. Holter, S. Nudelman, G.H. Suits, W.L. Wolfe, G.J. Zissis. Fundamentals of Infrared Technology (N.Y. MacMillan, 1962)
  21. D.M. Mittleman, R.W. Schoenlein, J.J. Shiang, V.L. Colvin, A.P. Alivisatos, C.V. Shank. Phys. Rev. B, 49 (20), 14 435 (1994)
  22. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16 (7), 1209 (1982)
  23. L.E. Brus. J. Chem. Phys., 80 (9), 4403 (1984)
  24. R. Rosetti, R. Hull, J.M. Gibson, L.E. Brus. J. Chem. Phys., 83 (3), 1406 (1985)
  25. L. Brus. J. Phys. Chem., 90 (12), 2555 (1986)
  26. Y. Kayanuma. Phys. Rev. B, 38 (14), 9797 (1988)
  27. А.И. Екимов, А.А. Онущенко. ФТП, 16 (7), 1215 (1982)
  28. А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии, 3-е изд. (М., Физматлит, 2009) с. 166
  29. S. Jana, R. Thapa, R. Maity, K.K. Chattopadhyay. Physica E, 40 (10), 3121 (2008)
  30. K.F. Cuff, M.R. Ellet, C.D. Kuglin, L.R. Williams. Proc 7th Int. Conf. Phys. Semiconductors (Dunod, Paris, 1964) p. 677

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.