Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках
Татохин Е.А.1, Каданцев А.В.1, Бормонтов А.Е.2, Задорожний В.Г.2
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Метод релаксационной спектроскопии является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. С целью повышения точности определения концентрации и параметров глубоких уровней, определяющих характер изотермической релаксации емкости, предложен статистический метод обработки результатов измерений изотермической релаксации емкости, основанный на алгоритме статистического поиска решения.
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1981). [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (N.Y., Wiley, 1973)]
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). (Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, A Wiley--Interscience Publication John Wiley \& Sons, 1981)]
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- А.А. Денисов, В.Н. Лактюшин, Ю.Г. Садофьев. Обзоры по электрон. техн., 7, 54 (1985)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45 (7), 3023 (1974)
- Л.С. Берман. ФТП, 32 (6), 688 (1974)
- Ф.А. Живописцев, В.А. Иванов. Регистрационный анализ в экспериментальной физике (М., Изд-во МГУ, 1995)
- А.В. Каданцев, Г.И. Котов, М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, Ю.К. Шлык. ПТЭ, 6, 138 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
