"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование основных зонных параметров HgMnZnTe
Остапов С.Э.1, Фрасуняк В.М.1, Жихаревич В.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования основных зонных параметров многокомпонентных твердых растворов HgMnZnTe. Предлагаются эмпирические формулы для вычисления ширины запрещенной зоны и концентрации собственных носителей в параболическом приближении в широком диапазоне температур и составов. Результаты теоретического исследования хорошо согласуются с экспериментальными и литературными данными.
  1. J. Piotrowski, A. Pogalski. Sensors Actuators, A67, 146 (1998)
  2. M.A. Kinch. J. Electron. Mater., 29, 809 (2000)
  3. A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 43, 187 (2002)
  4. A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)
  5. A. Rogalski. Prog. Quant. Electron., 13, 299 (1989)
  6. Н.Г. Глузман, Н.К. Леринман, Л.Д. Сабирзянова и др. ФТП, 23 (6), 1032 (1989)
  7. A.I. Savchuk, V.I. Fediv, V.M. Fransunyak, I.D. Stolyarchuk, P.I. Nikitin. J. Cryst. Growth, 197 (3), 698 (1999)
  8. В.М. Фрасуняк. Неорг. матер., 36 (5), 631 (2000)
  9. О.А. Боднарук, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко, А.Ф. Слонецкий. ФТП, 34 (4), 430 (2000)
  10. I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 8 (1), 30 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.