Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование основных зонных параметров HgMnZnTe
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 30 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования основных зонных параметров многокомпонентных твердых растворов HgMnZnTe. Предлагаются эмпирические формулы для вычисления ширины запрещенной зоны и концентрации собственных носителей в параболическом приближении в широком диапазоне температур и составов. Результаты теоретического исследования хорошо согласуются с экспериментальными и литературными данными.
- J. Piotrowski, A. Pogalski. Sensors Actuators, A67, 146 (1998)
- M.A. Kinch. J. Electron. Mater., 29, 809 (2000)
- A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 43, 187 (2002)
- A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)
- A. Rogalski. Prog. Quant. Electron., 13, 299 (1989)
- Н.Г. Глузман, Н.К. Леринман, Л.Д. Сабирзянова и др. ФТП, 23 (6), 1032 (1989)
- A.I. Savchuk, V.I. Fediv, V.M. Fransunyak, I.D. Stolyarchuk, P.I. Nikitin. J. Cryst. Growth, 197 (3), 698 (1999)
- В.М. Фрасуняк. Неорг. матер., 36 (5), 631 (2000)
- О.А. Боднарук, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко, А.Ф. Слонецкий. ФТП, 34 (4), 430 (2000)
- I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 8 (1), 30 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
