"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния
Кузнецов В.П.1, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Анализируются возможности разных методов получения монокристаллических структур на основе кремния. Обсуждаются особенности и преимущества метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии.
  1. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81 (6), 2784 (1997)
  2. J.F. Nutzel, G. Absteiter. J. Appl. Phys., 78, 937 (1995)
  3. В.П. Кузнецов. Автореф. канд. дис. (Горький, ГИФТИ, 1973)
  4. В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов, А.Н. Туманова. Кристаллография, 24, 1028 (1979)
  5. В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, О.А. Кузнецов, Л.Е. Николаева, Т.М. Зотова, Н.В. Гудкова. Неорг. матер., 27, 1337 (1991)
  6. В.П. Кузнецов. А.с. СССР N 343324, приор. от 1970 г
  7. В.П. Кузнецов, В.В. Постников. Завод. лаб., 36 (8), 977 (1970)
  8. В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина. Электронная промышленность, N 9, 57 (1990)
  9. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  10. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
  11. V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, D.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select Topics Quant. Electron., 12, 1556 (2006)
  12. T. Gregorkiewicz, B.A. Andreev, M. Forcales, I. Izeddin, W. Jantsch, Z.F. Krasilnik, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov, J.M. Zavada. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12, 1539 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.