Вышедшие номера
Использование кластерных вторичных ионов Ge2-, Ge3- для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС
Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Лобанов Д.Н.1, Новиков А.В.1, Юрасов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Обсуждаются новые возможности повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF.SIMS-5. С использованием оптического профилометра Talysurf CCI-2000 для контроля формы и шероховатости дна кратера распыления проведен детальный анализ вкладов артефактов ионного распыления и аппаратурных эффектов в разрешение по глубине. Установлено, что использование ионов Cs+ для распыления позволяет минимизировать развитие шероховатости при послойном анализе структур GeSi/Si вплоть до глубины 1-1.5 мкм. Показано, что использование вторичных кластерных ионов Ge2- и Ge3- вместо Ge1- и Ge+ позволяет снизить величину переходных областей в регистрируемых профилях.