Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия CdS/CdTe-солнечного элемента

Косяченко Л.А.¹, Грушко Е.В.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 19 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована зависимость напряжения холостого хода, фактора заполнения и коэффициента полезного действия тонкопленочного CdS/CdTe-солнечного элемента от удельного сопротивления rho и времени жизни носителей заряда tau в поглощающем CdTe-слое. В распространенном случае, когда концентрация некомпенсированных акцепторов и время жизни электронов в CdTe-слое находятся в пределах соответственно 10¹⁵-10¹⁶ см^-3 и 10^-10-10^-9 с, результаты расчета соответствуют достигнутой эффективности лучших тонкопленочных CdS/CdTe-солнечных элементов. Показано, что, уменьшая rho и увеличивая tau в поглощающем CdTe-слое, можно заметно повысить напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия, приблизив их значения к теоретическому пределу для такого типа устройств.

T. Surek. J. Cryst. Growth, 275, 292 (2005)
A. Goetzberger, C. Hebling, H.-W. Schock. Mater. Sci. Engin. R40, 1 (2003)
N. Romeo, A. Bosio, V. Camevari, A. Podesta. Sol. Energy, 77, 795 (2004)
J. Britt, C. Ferekides. Appl. Phys. Lett., 62, 2851 (1993)
T. Aramoto, S. Kumazawa, H. Higuchi, T. Arita, S. Shibutani, T. Nishio, J. Nakajima, M. Tsuji, A. Hanafusa, T. Hibino, K. Omura, H. Ohyama, M. Murozono. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 6304 (1997)
P.V. Meyers, S.P. Albright. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 8, 161 (2000)
X. Wu, J.C. Keane, R.G. Dhere, C. DeHart, D.S. Albin, A. Duda, T.A. Gessert, S. Asher, D.H. Levi, P. Sheldon. In: Proceedings of the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Munich, 2001). p. 995
A. Hanafusa, T. Aramoto, M. Tsuji. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 67, 21 (2001)
D. Bonnet. In: Practical Handbook of Photovoltaic: Fundamentals and Applications, ed by T. Makkvart, L. Castaner (Elseivier, 2003)
S. Sze. Physics of Semiconductor Devices. 2nd ed. (N.Y., Wiley, 1981)
L.A. Kosyachenko, E.V. Grushko, A.L. Savchuk. Semicond. Sci. Technol., 23, 025 011 (2008)
C. Sah, R. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Захарук, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 37, 238 (2003)
D. Bonnet. In: Clean Electricity from Photovoltaic. ed. by M.D. Atcher, R. Hill (Imperial College Press, 2001) p. 245
J. Fritsche, D. Kraft, A. Thissen. Th. Mayer, A. Klein, W. Jaegermann. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 668, 601 (2001)
U.V. Desnica, I.D. Desnica-Frankovic, R. Magerle, A. Burchars, M. Deicher. J. Cryst. Growth, 197, 612 (1999)
X. Mathew, L.A. Kosyachenko, V.V. Moyushchuk, O.F. Sklyarchuk. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 18 (10), 1021 (2007)
L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.V. Motuschchuk, V.M. Slkyarchuk. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 82, 65 (2004)
L.A. Kosyachenko, V.M. Slkyarchuk, O.F. Slkyarchuk, V.A. Gnatyuk. Semicond. Sci. Technol., 22, 911 (2007)
S.H. Demtsu, J.R. Sites. Proc. IEEE Photovolt. Specialists Conf., 31, 347 (2005)
J.R. Sites, J. Pan. Thin Sol. Films, 515, 6099 (2007)
M. Bujatti. J. Phys. D: Appl. Phys., 1, 581 (1868)
K.W. Mitchell. Evaluation of the CdS/CdTe Heterojunction Solar Cell (N.Y., Academic, 1979)
T. Takebe, J. Saraie, T. Tanaka. Phys. Status Solidi A, 47, 123 (2006)
Reference solar spectral irradiance at the ground at different receiving conditions. Standard of International Organization for Standardization ISO 9845--1:1992

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель