Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах (lambda=900-920 нм)
1"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.
Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения lambda=900-920 нм). Установлено, что увеличение энергетической глубины и числа квантово-размерных ям активной области позволяет повысить температурную стабильность пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности полупроводниковых лазеров на их основе. В лазерах на основе гетероструктуры с 4 квантово-размерными ямами достигается температурная стабильность пороговой плотности тока с характеристическим параметром T0=290 K. Экспериментально показано, что стабилизация лазерных параметров достигается благодаря снижению пороговой плотности тока и пороговой концентрации носителей заряда в квантовых ямах активной области. Установлено, что при достижении некоторого значения концентрации носителей заряда в квантовых ямах активной области температурная стабильность пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности резко снижается.
- Д.А. Винокуров, В.В. Васильева, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (2), 246 (2010)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
- Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, А.С. Школьник, Г.Г. Зегря. ФТП, 39 (9), 1252 (2005)
- И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, А.В. Чудинов. ФТП, 19 (8), 1496 (1985)
- High-Power Diode Lasers: Fundamentals, Technology, Applications, ed. by R. Diehl. [Topics in Applied Physics, v. 78 (Springer publishing Co., 2001)]
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
