Вышедшие номера
Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах (lambda=900-920 нм)
Ладугин М.А.1, Лютецкий А.В.2, Мармалюк А.А.1, Падалица А.А.1, Пихтин Н.А.2, Подоскин А.А.2, Рудова Н.А.2, Слипченко С.О.2, Шашкин И.С.2, Бондарев А.Д.2, Тарасов И.С.2
1"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения lambda=900-920 нм). Установлено, что увеличение энергетической глубины и числа квантово-размерных ям активной области позволяет повысить температурную стабильность пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности полупроводниковых лазеров на их основе. В лазерах на основе гетероструктуры с 4 квантово-размерными ямами достигается температурная стабильность пороговой плотности тока с характеристическим параметром T0=290 K. Экспериментально показано, что стабилизация лазерных параметров достигается благодаря снижению пороговой плотности тока и пороговой концентрации носителей заряда в квантовых ямах активной области. Установлено, что при достижении некоторого значения концентрации носителей заряда в квантовых ямах активной области температурная стабильность пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности резко снижается.