"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние периферии контактов металл--полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики
Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 25 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO2 толщиной 0.5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений.
  1. R. Tung. Mater. Sci. Engin., R35, 1 (2001)
  2. S.M. Sze. Modern Semiconductor Device Physics (John Wiley \& Sons Inc., 1997)
  3. В.Г. Божков, О.Ю. Малаховский, А.М. Мисик. Изв. вузов. Физика, 3, 97 (1983)
  4. В.Г. Божков, О.Ю. Малаховский, А.Г. Бычков, Е.Г. Сироткин. Изв. вузов. Физика, 5 (190), 14 (1987)
  5. Р.К. Мамедов. Периферийные токи и эффективные контактные площади диодов Шоттки [Вестн. Бакинского ун-та. Сер. физ.-мат. наук (Баку), 2002]
  6. B.K. Sehgal, S. Mohan, S.H. Mukeijee et al. J. Inst. Electron. Telecomm. Engs., 28 (11), 610 (1982)
  7. В.Н. Анциферов, Ф.Ф. Бездудный, Л.Н. Белянчиков и др. В кн.: Новые материалы, под ред. Ю.С. Карабасова (М., МИСИС, 2002)
  8. T. Sato, S. Kasai, H. Hasegawa. Appl. Surf. Sci., 175--176, 181 (2001)
  9. S. Forment, R.L. Van Mairhaeghe, A. De Vrieze, K. Strubbe, W.P. Gomes. Semicond. Sci. Technol., 16, 975 (2001)
  10. G.M. Vanalme, L. Goubert, R.L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, P. Van Daele. Semicond. Sci. Technol., 14, 871 (1999)
  11. M. Yang, J. Lee. ETRI Journal, 24 (6), 455 (2002)
  12. В.Г. Божков, Н.А. Торхов, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Тез. докл. 19-й Межд. Крымской конф. СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", " КрыМиКо'2009" (Севастополь, 2009)
  13. В.Г. Божков, Н.А. Торхов, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Тез. докл. IX Росс. конф. по физике полупроводников " Полупроводники-2009" (Новосибирск--Томск, 2009)
  14. В.Г. Божков, С.Е. Зайцев. РЭ, 52 (1), 97 (2007)
  15. H.O. Jacobs, P. Leuchtmann, O.J. Homan, A. Stemmer. J. Appl. Phys., 84 (3), 1168 (1998)
  16. В.Г. Божков, Н.А. Торхов, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП, 42 (5), 546 (2008)
  17. Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика, деп. в ВИНИТИ, 334-В2008 от 18.04.2008
  18. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Поверхность, N 11, 1 (2009)
  19. А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков, R. Laiho. ФТП, 40 (8), 1009 (2006)
  20. Н.М. Коровкина. Автореф. канд. дис. (СПб. гос. электротехнический ун-т "ЛЭТИ", 2006)
  21. В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Н. Новгород, Ин-т физики микроструктур РАН, 2004)
  22. К.Л. Сорокина, А.Л. Толстихина. Поверхность, N 9, 32 (2006)
  23. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП, 43 (1), 38 (2009)
  24. Н.А. Торхов, В.А. Новиков. ФТП, 43 (8), 1109 (2009)
  25. Н.А. Торхов, В.Г. Божков. ФТП, 43 (5), 577 (2009)
  26. А.В. Панин, Н.А. Торхов. ФТП, 34 (6), 698 (2000)
  27. Ричард Кох. Закон Парето или принцип 80/20. http://erickson.org.ru/articles/pareto.htm
  28. Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 34 (1), 106 (2000)
  29. M.A. Peter, Chien-Ping Lee, Mau-Ching F. Chang. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31 (10), 1377 (1984)
  30. J.-C. Ramires, P.J. McNally, S.L. Cooper, J.J. Rosenberg, L.B. Freund, T.N. Jackson. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-35 (8), 1232 (1988)
  31. Р.К. Мамедов. Контакты металл-полупроводник с электрическим полем пятен (Баку, БГУ, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.