"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности проводимости gamma-облученных кристаллов TlGaTe2 с наноцепочечной структурой
Сардарлы Р.М.1, Самедов О.А.1, Абдуллаев А.П.2, Гусейнов Э.К.1, Салманов Ф.Т.1, Сафарова Г.Р.1
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 12 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Изучены температурные зависимости электропроводности sigma(T) и вольт-амперные характеристики одномерных монокристаллов TlGaTe2, подвергнутных различным дозам gamma-облучения, в обеих геометриях эксперимента --- по наноцепочкам, параллельным тетрагональной оси кристалла (sigma||) и перпендикулярно им (sigma normal ). Показано, что зависимость sigma(T), измеренная в омической области вольт-амперной характеристики, имеет прыжковый характер и описывается в приближении Мотта. Рассчитаны значения плотности локализованных состояний NF, энергии активации Ea, длины прыжков R, разность между энергиями состояний Delta E вблизи уровня Ферми и концентрации глубоких ловушек Nt. Исследованы также вольт-амперные характеристики области более резкого роста тока. Показано, что эта область вольт-амперных характеристик описывается в рамках термополевого эффекта Пула--Френкеля. Определены значения концентрации ионизованных центров Nf, длина свободного пробега lambda, значения коэффициента Френкеля beta, форма потенциальной ямы в исходных и облученных (250 Мрад) кристаллах TlGaTe2. Показано, что анизотропия проводимости изменяется при радиационном воздействии, приводящем к трансляционной упорядоченности наноцепочек.
  1. С.Б. Вахрушев, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, В.И. Слисенко, Р.М. Сардарлы. ФТТ, 26, 1225 (1984)
  2. М.В. Белоусов, Р.М. Сардарлы. ФТТ, 27, 662 (1985)
  3. Р.М. Сардарлы. Колебательные спектры соединений A3B6 и A3B3C26 (Баку, Изд-во Элм, 2004)
  4. G.D. Guseinov, A.M. Ramazanzade, E.M. Kerimova, H.Z. Ismailov. Phys. Status Solidi, 22, 117 (1967)
  5. G.D. Guseinov, G.B. Abdullaev, S.M. Bidzinova, F.M. Seidov, M.Z. Ismailov, A.M. Pashaev. Phys. Lett., A33, 421 (1970)
  6. Э.М. Годжаев, Г.С. Оруджев, Д.М. Кафарова. ФТТ, 46, 811 (2004)
  7. M.A. Aldzhanov, K.K. Mamedov, A.A. Abdurragimov. Phys. Status Solidi B, 131, K35 (1985)
  8. В.А. Алиев, М.А. Алджанов, С.Н. Алиев. Письма ЖЭТФ, 45 (9), 418 (1987)
  9. M.P. Hanias, A.N. Anagnostopoulos. Phys. Rev. B, 47 (8), 4261 (1993)
  10. K. Okazaki, K. Tanaka, J. Matsuno, A. Fujimori, L.F. Mattheiss, S. Iida, E. Kerimova, N. Mamedov. Phys. Rev. B, 64, 045 210 (2001)
  11. Ф.Н. Абдуллаев, Т.Г. Керимова, Н.А. Абдуллаев. ФТТ, 47 (7), 1180 (2005)
  12. Н.Ф. Мотт, Э.А. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
  13. Я.И. Френкель. Сб. избр. тр. (М., Наука, 1975) т. 2, с. 217
  14. R.H. Hill. Phil. Mag., 23, 59 (1971)
  15. Н.Г. Волков, В.К. Ляпидевский. ФТТ, 14, 1337 (1972)
  16. Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. ФТП, 37, 173 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.