Вышедшие номера
Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
Цацульников А.Ф.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Крыжановская Н.В.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Усов С.О.1,2, Брунков П.Н.1, Гончаров В.В.1, Черкашин Н.А.3, Hytch M.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration
Поступила в редакцию: 13 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Представлены результаты исследований формирования композитных квантовых точек InGaN/GaN/InAlN. Исследованы структурные свойства тонких слоев InAlN, заращённых GaN, и показано формирование в таких структурах трехмерных островков, имеющих латеральные размеры ~(20-30) нм. Показано, что осаждение тонкого слоя InGaN на поверхность островков InAlN, заращённых тонким слоем GaN, приводит к трансформации непрерывного слоя InGaN в массив изолированных квантовых точек, имеющих латеральные размеры 20-30 нм и высоту 2-3 нм, положение которых в направлении роста коррелирует с положением островков InAlN.