Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 10 » Статья стр. 1382
<<<>>>
Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
Цацульников А.Ф.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Крыжановская Н.В.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Усов С.О.1,2, Брунков П.Н.1, Гончаров В.В.1, Черкашин Н.А.3, Hytch M.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration
Поступила в редакцию: 13 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.
PDF версия
Представлены результаты исследований формирования композитных квантовых точек InGaN/GaN/InAlN. Исследованы структурные свойства тонких слоев InAlN, заращённых GaN, и показано формирование в таких структурах трехмерных островков, имеющих латеральные размеры ~(20-30) нм. Показано, что осаждение тонкого слоя InGaN на поверхность островков InAlN, заращённых тонким слоем GaN, приводит к трансформации непрерывного слоя InGaN в массив изолированных квантовых точек, имеющих латеральные размеры 20-30 нм и высоту 2-3 нм, положение которых в направлении роста коррелирует с положением островков InAlN.
  1. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 69, 4188 (1996)
  2. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 8 (12), 2099 (2002)
  3. В.В. Гончаров, М.Н. Корытов, П.Н. Брунков, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, С.Г. Конников. Изв. РАН. Сер. физ., 73 (1), 40 (2009)
  4. W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.V. Sakharov, S.O. Usov, A.E. Nikolaev, S.I. Troshkov, M.A. Yagovkinga, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, D.V. Davydov, A.V. Lobanova, N.A. Cherkashin, M.J. Hytch, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsulnikov. Buklet. Ext. Abstr. 13th Eur. Wokshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 2009)
  5. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  6. HREM Research. htpp://www.hremresearch.com
  7. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.C. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
  8. А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, А.А. Суворова, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 31 (1), 109 (1997)
  9. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme