"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния
Голоденко А.Б.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Рассмотрен способ построения фрактальной модели некристаллического твердого вещества на примере аморфного кремния. В системах итерационных функций аргументам придается физический смысл диэдрических (двугранных) и валентных углов элементарной кристаллографической ячейки. Адекватность модели оценена по радиальной функции распределения, плотности атомной структуры, распределения валентных и диэдрических углов, плотности оборванных межатомных связей.
  1. П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. Физика твердого тела (М., Высш. шк., 2000)
  2. Введение в математическое моделирование (М., ЛОГОС, 2004)
  3. Р.М. Кроновер. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории (М., Постмаркет, 2000)
  4. Б. Мандельброт. Фрактальная геометрия природы (М., Ин-т компьютерных исследований, 2002)
  5. Аморфные и поликристаллические полупроводники (М., Мир, 1987)
  6. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 2
  7. А.Б. Голоденко. Фрактальное моделирование атомной структуры аморфного полупроводника (Воронеж, ВГТА, 2007)
  8. В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Л., Химия, 1991)
  9. Mousseau Normand, Lewis Laurent J. Phys. Rev. Lett., 78, 1484 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.